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Pedidos acima de
$5000vishay SIRA24DP-T1-GE3
N-Channel 25 V (D-S) MOSFET
Marcas: Vishay
Parte do fabricante #: SIRA24DP-T1-GE3
Ficha de dados: SIRA24DP-T1-GE3 Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: PowerPAK-SO-8
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Status RoHS:
Condição de estoque: 9.458 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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SIRA24DP-T1-GE3 Descrição geral
N-Channel 25 V 60A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Características
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | Vishay | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | PowerPAK-SO-8 |
| Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 25 V | Id - Continuous Drain Current: | 60 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.15 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 16 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V | Qg - Gate Charge: | 55 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation: | 62.5 W | Channel Mode: | Enhancement |
| Tradename: | TrenchFET, PowerPAK | Series: | SIR |
| Packaging: | MouseReel | Brand: | Vishay / Siliconix |
| Configuration: | Single | Fall Time: | 17 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 75 S | Height: | 1.04 mm |
| Length: | 6.15 mm | Product Type: | MOSFET |
| Rise Time: | 42 ns | Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Subcategory: | MOSFETs | Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 17 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 18 ns |
| Width: | 5.15 mm |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
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Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
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PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
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Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The SIRA24DP-T1-GE3 is a power MOSFET chip designed for applications requiring efficient power management. It features a low on-resistance and high-speed switching capabilities, making it ideal for use in power supply units, motor control systems, and other high-power applications. The chip also offers protection features such as thermal shutdown and overcurrent protection, ensuring reliable and safe operation.
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Equivalent
Equivalent products to the SIRA24DP-T1-GE3 chip include the SIRA20DP-T1-GE3 and SIRA24DPT1GE3. These chips are also MOSFETs manufactured by Vishay Intertechnology. They have similar specifications and performance characteristics, making them suitable alternatives for various applications. -
Features
- Dual N-channel MOSFET - 30V Drain-Source Voltage - 24A continuous Drain Current - Low on-resistance - Low gate charge - RoHS compliant package - Suitable for use in power management applications - Ideal for DC/DC converters, motor drives, and battery management systems. -
Pinout
The SIRA24DP-T1-GE3 is a dual P-channel MOSFET with a small SC-75 package. It has 5 pins, with the functions being gate (G), source (S), drain 1 (D1), drain 2 (D2), and substrate (S). It is commonly used in battery protection circuits and power management applications. -
Manufacturer
The SIRA24DP-T1-GE3 is manufactured by Vishay Intertechnology, a global manufacturer of electronic components and semiconductors. Vishay is a leading company in the field of passive and active electronic components used in a wide range of devices and applications, including industrial, automotive, consumer electronics, and telecommunications. -
Application Field
The SIRA24DP-T1-GE3 is a dual P-channel MOSFET specifically designed for power management applications in portable electronics, battery-powered devices, and low voltage circuits. It is commonly used in applications such as load switches, power switches, and battery protection circuits due to its low on-resistance and high efficiency. -
Package
The SIRA24DP-T1-GE3 chip comes in a Surface Mount (SMD) package type with a Dual P-Channel MOSFET form. It has a size of 1.5mm x 1mm.
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