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SIR422DP-T1-GE3
Vishay Siliconix SIR422DP-T1-GE3 N-channel MOSFET, 40 A, 40 V, 8-Pin PowerPAK SO
Marcas: Vishay Siliconix
Parte do fabricante #: SIR422DP-T1-GE3
Ficha de dados: SIR422DP-T1-GE3 Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: PowerPAK®SO-8
Status RoHS:
Condição de estoque: 5.230 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Preço Externo |
|---|---|---|
| 1 | $0,755 | $0,755 |
| 10 | $0,614 | $6,140 |
| 30 | $0,543 | $16,290 |
| 100 | $0,474 | $47,400 |
| 500 | $0,433 | $216,500 |
| 1000 | $0,410 | $410,000 |
Em estoque: 5.230 PCS
SIR422DP-T1-GE3 Descrição geral
Power Field-Effect Transistor, 20.5A I(D), 40V, 0.0066ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, POWERPAK, SOP-8
Características
Aplicativo
SWITCHINGEspecificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Series | TrenchFET® | Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.6mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1785 pF @ 20 V |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Ta), 34.7W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
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PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa1 :produtos
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
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Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The SIR422DP-T1-GE3 is a high-performance power MOSFET featuring low RDS(on) and high current capability. It is designed for use in various power management applications such as power supplies, motor control, and LED lighting. This MOSFET offers excellent efficiency, reliability, and thermal performance in a compact package for space-constrained designs.
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Equivalent
The equivalent products of SIR422DP-T1-GE3 chip are the SI4434DY-T1-GE3 and SI4435DY-T1-GE3 chips. -
Features
1. High-current density 2. Low package resistance and inductance 3. High thermal performance 4. Very low on-resistance 5. Low switching losses 6. Low gate charge 7. Avalanche energy rating 8. RoHS compliant. -
Pinout
SIR422DP-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET with a pin count of 6. Its functions include high-speed switching, low on-resistance, and a low gate charge. This device is commonly used in power management applications such as power supplies and motor control. -
Manufacturer
The manufacturer of SIR422DP-T1-GE3 is Vishay Intertechnology. Vishay Intertechnology is a global company that produces discrete semiconductors and passive electronic components. They specialize in the design, manufacturing, and distribution of a wide range of electronic components for industries such as automotive, industrial, consumer, and telecommunications. -
Application Field
SIR422DP-T1-GE3 is a power MOSFET designed for applications requiring high-efficiency power management, such as switching regulators, motor control, and power supplies. It is suitable for use in various electronic devices and systems that require high-performance power switching capabilities. -
Package
The SIR422DP-T1-GE3 chip is a MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) in a DPAK (TO-252) surface mount package. It has a form factor of a single discrete component. The size of the chip is approximately 6.6mm x 9.35mm x 4.6mm.
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