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$5000vishay SIHG80N60E-GE3
600V Vds, 30V Vgs MOSFET in TO-247AC
Marcas: Vishay
Parte do fabricante #: SIHG80N60E-GE3
Ficha de dados: SIHG80N60E-GE3 Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: TO-247AC-3
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Status RoHS:
Condição de estoque: 9.458 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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SIHG80N60E-GE3 Descrição geral
N-Channel 600 V 80A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247AC
Características
- Figure-of-merit optimized for high performance
- High-speed logic and data transfer supported
- Low EMI emissions ensured by minimized ringing
Aplicativo
- Various applications
- Across different industries
- Wide range of uses
Especificações
Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
---|---|---|---|
Manufacturer: | Vishay | Product Category: | MOSFET |
RoHS: | Details | Technology: | Si |
Mounting Style: | Through Hole | Package / Case: | TO-247AC-3 |
Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V | Id - Continuous Drain Current: | 80 A |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 26 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 30 V, + 30 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V | Qg - Gate Charge: | 295 nC |
Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
Pd - Power Dissipation: | 520 W | Channel Mode: | Enhancement |
Series: | E | Packaging: | Tube |
Brand: | Vishay / Siliconix | Configuration: | Single |
Product Type: | MOSFET | Rise Time: | 153 ns |
Factory Pack Quantity: | 25 | Subcategory: | MOSFETs |
Transistor Type: | 1 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time: | 239 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 63 ns |
Envio
Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
---|---|---|---|
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa1 :produtos
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The SIHG80N60E-GE3 is a power MOSFET chip designed for high-speed switching applications in power electronics. It offers a low on-state resistance and high-current capability, making it suitable for use in applications such as motor drives, inverters, and power supplies. Its advanced design features enhance efficiency and reliability in high-power systems.
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Equivalent
Similar products to SIHG80N60E-GE3 chip include IRGP4062DPbF, IRGS14C40L, and FLY76388M. These chips are also power semiconductor devices designed for high power applications and feature similar specifications such as high voltage and high-speed switching capabilities. -
Features
1. 600V, 80A Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) 2. High frequency operation up to 30kHz 3. Low conduction and switching losses for high efficiency 4. High avalanche energy capability for robustness 5. Stable operation over a wide temperature range 6. Integrated gate resistor for simplified drive circuit design -
Pinout
The SIHG80N60E-GE3 is a power MOSFET with a TO-247AC package. It has three pins: gate (G), drain (D), and source (S). The function of this device is to control the flow of current between the drain and source terminals by varying the voltage applied to the gate terminal. -
Manufacturer
SIHG80N60E-GE3 is manufactured by Vishay, a global company specializing in manufacturing discrete semiconductors and passive electronic components for a variety of industries, including automotive, telecommunications, and industrial applications. They are known for their high-quality products and innovative technology solutions. -
Application Field
SIHG80N60E-GE3 is a high-voltage, high-speed switching IGBT designed for use in applications such as industrial motor drives, solar inverters, welding equipment, and UPS systems. It offers low conduction and switching losses, high current capability, and high reliability, making it ideal for demanding power electronics applications. -
Package
The SIHG80N60E-GE3 chip comes in a TO-247 package, with a standard form factor and size of 10.78mm x 15.72mm x 4.8mm.
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Temos produtos ricos que podem atender às suas diversas necessidades.
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A menor taxa de envio internacional começa em US$ 0,00
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