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vishay SIA517DJ-T1-GE3 48HRS

Transistor with N/P-MOSFET technology

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marcas: Vishay

Parte do fabricante #: SIA517DJ-T1-GE3

Ficha de dados: SIA517DJ-T1-GE3 Ficha de dados (PDF)

Pacote/Caso: SC-70-6

Status RoHS:

Condição de estoque: 9.458 peças, novo original

Tipo de Produto: FET, MOSFET Arrays

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Preços

*Todos os preços estão em USD

Quantidade Preço unitário Preço Externo
5 $0,211 $1,055
50 $0,183 $9,150
150 $0,171 $25,650
500 $0,156 $78,000
3000 $0,150 $450,000
6000 $0,146 $876,000

Em estoque: 9.458 PCS

- +

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SIA517DJ-T1-GE3 Descrição geral

Product SIA517DJ-T1-GE3 is a small signal field-effect transistor, designed with a high current rating of 4.5A I(D) and a maximum voltage of 12V. It features 2 elements, including an N-channel and a P-channel, making it versatile for various applications. Constructed with silicon and metal-oxide semiconductor materials, this transistor offers reliable performance and durability

Características

  • None

    • Aplicativo

    Load Switch for Portable Devices

    Especificações

    Parâmetro Valor Parâmetro Valor
    Product Category MOSFET RoHS Details
    Technology Si Mounting Style SMD/SMT
    Package / Case SC-70-6 Transistor Polarity N-Channel, P-Channel
    Number of Channels 2 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 12 V
    Id - Continuous Drain Current 4.5 A Rds On - Drain-Source Resistance 29 mOhms, 61 mOhms
    Vgs - Gate-Source Voltage - 8 V, + 8 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 400 mV
    Qg - Gate Charge 15 nC, 20 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
    Maximum Operating Temperature + 150 C Pd - Power Dissipation 6.5 W
    Channel Mode Enhancement Tradename TrenchFET, PowerPAK
    Series SIA Brand Vishay Semiconductors
    Configuration Dual Fall Time 10 ns, 20 ns
    Forward Transconductance - Min 21 S, 11 S Height 0.75 mm
    Length 2.05 mm Product Type MOSFET
    Rise Time 10 ns, 25 ns Factory Pack Quantity 3000
    Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 N-Channel, 1 P-Channel
    Typical Turn-Off Delay Time 22 ns, 30 ns Typical Turn-On Delay Time 10 ns, 30 ns
    Width 2.05 mm Part # Aliases SIA517DJ-GE3
    Unit Weight 0.000988 oz

    Envio

    Tipo de envio Taxa de envio Tempo de espera
    DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
    Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
    UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
    TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
    EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
    CORREIO AÉREO REGISTADO CORREIO AÉREO REGISTADO $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias

    Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.

    Pagamento

    Termos de pagamento Taxa de mão
    Transferência bancária Transferência bancária cobrar taxa bancária de US$ 30,00.
    PayPal PayPal cobrar taxa de serviço de 4,0%.
    Cartão de crédito Cartão de crédito cobrar taxa de serviço de 3,5%.
    Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
    Grama de dinheiro Grama de dinheiro cobrar taxa bancária de US$ 0,00.

    Garantias

    1.Os componentes eletrônicos que você compra incluem garantia de 365 dias, garantimos a qualidade do produto.

    2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.

    Embalagem

    • produtos

      Etapa1 :produtos

    • Embalagem a vácuo

      Etapa2 :Embalagem a vácuo

    • Saco antiestático

      Etapa3 :Saco antiestático

    • Embalagem individual

      Etapa4 :Embalagem individual

    • Caixas de embalagem

      Etapa5 :Caixas de embalagem

    • etiqueta de envio com código de barras

      Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras

    Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.

    Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.

    Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.

    Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.

    • ESD
    • ESD

    Part points

    • The SIA517DJ-T1-GE3 is a high-performance, low capacitance TVS diode array designed to protect sensitive electronics from electrostatic discharge (ESD) and voltage transients. It features a 5.5V working voltage and ultra-low clamping voltage, making it ideal for applications such as smartphones, tablets, and portable electronics.

    • Equivalent

      The equivalent products of SIA517DJ-T1-GE3 chip are SI2307 and SI4843DY. These chips are also N-channel MOSFET transistors suitable for similar applications and have comparable specifications to the SIA517DJ-T1-GE3.

    • Features

      SIA517DJ-T1-GE3 is a power MOSFET with a drain source voltage of 30V, continuous drain current of 47A, low on-resistance, and high speed switching capability. It also features a small package size, suitable for a variety of applications in power management and battery protection circuits.

    • Pinout

      The SIA517DJ-T1-GE3 is a dual N-channel 70 V (D-S) MOSFET in a DFN2020-6 package. It has 6 pins, with Pin 1 and 6 connected to the source of each MOSFET, Pin 2 and 5 connected to the gates, and Pin 3 and 4 connected to the drains.

    • Manufacturer

      The manufacturer of SIA517DJ-T1-GE3 is Vishay Semiconductor. It is an electronic components company that specializes in the design, manufacture, and distribution of a wide range of discrete semiconductors and passive components. Vishay Semiconductor's products are used in various applications including automotive, industrial, telecommunications, and consumer electronics.

    • Application Field

      The SIA517DJ-T1-GE3 is commonly used in power management applications, including voltage regulation and power distribution. It is suitable for use in various electronics devices such as smartphones, tablets, laptops, and other portable devices. It can also be utilized in industrial applications for power supply management and control.

    • Package

      The SIA517DJ-T1-GE3 chip is a surface mount package type with a form of PowerPAK SO-8 and a size of 5mm x 6mm.

    BS250KL-TR1-E3

    2N7002E

    SIHG20N50C-E3

    IRLR110PBF

    IRFS9N60APBF

    IRFU120

    IRFPS37N50A

    IRFP9240PBF

    PF240D25

    BTS5242-2L

    ATTINY10-TSHR

    SE050C1HQ1/Z01SCZ

    UCC28600D

    CP2104-F03-GMR

    ENC424J600-I/PT

    LT1963AEQ

    BCP56T1G

    TPS55340PWP

    ICP-10111

    LM76003RNPT

    MBRB20100CTG

    KSZ8794CNXIC

    AM3352BZCZ80

    HIH-4000-003

    MBRB10150CT

    MBRD835LT4G

    IRF3711

    LT1210CT7

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