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Pedidos acima de
$5000vishay SIA461DJ-T1-GE3
20 Volt Negative-Channel MOSFET
Marcas: Vishay
Parte do fabricante #: SIA461DJ-T1-GE3
Ficha de dados: SIA461DJ-T1-GE3 Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: SC-70-6
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Status RoHS:
Condição de estoque: 9.458 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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SIA461DJ-T1-GE3 Descrição geral
The SIA461DJ-T1-GE3 MOSFET is a powerful P-channel transistor that provides a continuous drain current of 12A and a drain-source voltage of -20V. With an incredibly low on-resistance of 0.025ohm and a power dissipation of 17.9W, this transistor is perfect for high-performance applications where efficiency is key. The PowerPAK SC70 case style and 6 pins make it easy to integrate into various electronic designs, while the wide operating temperature range of -55°C to +150°C ensures reliable performance in extreme conditions. The MSL 1 - Unlimited classification further guarantees that this transistor is suitable for a wide range of manufacturing environments
Características
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SC-70-6 | Transistor Polarity | P-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current | 12 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 33 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 8 V, + 8 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 400 mV |
| Qg - Gate Charge | 18 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 17.9 W |
| Channel Mode | Enhancement | Tradename | TrenchFET, PowerPAK |
| Series | SIA | Brand | Vishay Semiconductors |
| Configuration | Single | Fall Time | 20 ns |
| Forward Transconductance - Min | 20 S | Product Type | MOSFET |
| Rise Time | 22 ns | Factory Pack Quantity | 3000 |
| Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 50 ns | Typical Turn-On Delay Time | 20 ns |
| Part # Aliases | SIA461DJ-GE3 |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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Pagamento
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Embalagem
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Etapa1 :produtos
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
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Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The SIA461DJ-T1-GE3 is a high-performance, low capacitance TVS diode array designed to protect sensitive electronics from voltage transients. It offers superior surge protection for Ethernet and data line applications, with a maximum operating voltage of 5V and a peak pulse power of 1000W. This chip is ideal for use in applications where ESD and lightning protection are required.
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Equivalent
The equivalent products of SIA461DJ-T1-GE3 chip include SIA460DJ-T1-GE3, SIA462DJ-T1-GE3, and SIA463DJ-T1-GE3. These chips are all power management integrated circuits that offer similar functionality and performance characteristics. -
Features
SIA461DJ-T1-GE3 is a high-performance RF power amplifier module designed for use in LTE small cell base stations. It operates in the frequency range of 2.3-2.7 GHz with a linear output power of 45 dBm. It features high efficiency, adjustable output power, and excellent linearity for improved signal quality. -
Pinout
SIA461DJ-T1-GE3 is a small-signal N-channel MOSFET with a pin count of 3. The pins are Gate (G), Drain (D), and Source (S). It is typically used for switching applications in low voltage circuits. -
Manufacturer
SIA461DJ-T1-GE3 is manufactured by Vishay. Vishay is an American company that specializes in manufacturing discrete semiconductors, passive components, and integrated circuit. They are known for producing a wide range of electronic components for various industries, including automotive, telecommunications, and consumer electronics. -
Application Field
SIA461DJ-T1-GE3 is a high power, high frequency RF power amplifier suitable for various applications including cellular infrastructure, small cell, repeaters, and distributed antenna systems. It can also be used in microwave radios, point-to-point, and point-to-multipoint communication systems. -
Package
The SIA461DJ-T1-GE3 chip is a DFN package type with a form factor of Dual Flat No-leads (DFN) and a size of 3.3mm x 3.3mm.
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