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Pedidos acima de
$5000vishay SI6562CDQ-T1-GE3
N/P-CH MOSFET suitable for electronic applications with a 20V voltage capacity and 5.7A/5.1A current handling capabilities
Marcas: VISHAY
Parte do fabricante #: SI6562CDQ-T1-GE3
Ficha de dados: SI6562CDQ-T1-GE3 Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: TSSOP8
Tipo de Produto: FET, MOSFET Arrays
Status RoHS:
Condição de estoque: 9.458 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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SI6562CDQ-T1-GE3 Descrição geral
Featuring both N-channel and P-channel elements, the SI6562CDQ-T1-GE3 offers versatility and flexibility in circuit design. The use of silicon and metal-oxide semiconductor technology ensures reliable and consistent performance, even in demanding operating conditions
Características
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| REACH | Details | Technology | Si |
| Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | TSSOP-8 |
| Transistor Polarity | N-Channel, P-Channel | Number of Channels | 2 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V | Id - Continuous Drain Current | 6.7 A, 6.1 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 22 mOhms, 30 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 8 V, + 8 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 600 mV | Qg - Gate Charge | 15 nC, 34 nC |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation | 1.6 W, 1.7 W | Channel Mode | Enhancement |
| Tradename | TrenchFET | Series | SI6 |
| Brand | Vishay Semiconductors | Configuration | Dual |
| Fall Time | 10 ns, 15 ns | Forward Transconductance - Min | 17 S, 22 S |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 10 ns, 25 ns |
| Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 1 N-Channel, 1 P-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 25 ns, 45 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 12 ns, 30 ns | Part # Aliases | SI6562CDQ-GE3 |
| Unit Weight | 0.005573 oz |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
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Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
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PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
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Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa1 :produtos
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![Embalagem a vácuo]( "Embalagem a vácuo")
Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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![Embalagem individual]( "Embalagem individual")
Etapa4 :Embalagem individual
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![Caixas de embalagem]( "Caixas de embalagem")
Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The SI6562CDQ-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET integrated circuit designed for use in DC-DC converters and power management applications. It features a low on-resistance, high current capacity, and low gate charge, making it suitable for high-efficiency power conversion in various electronic devices.
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Equivalent
The equivalent products of the SI6562CDQ-T1-GE3 chip are IRF6602TRPBF, IP6634CZ12, and FX669J-TR. These chips are all N-channel MOSFET devices with similar specifications and performance characteristics. -
Features
The SI6562CDQ-T1-GE3 is a high efficiency, synchronous buck-boost controller with integrated MOSFETs that supports wide input voltage range from 4.5V to 60V. It offers dynamic voltage scaling, adjustable frequency operation, and comprehensive protection features. The device is ideal for a variety of automotive, industrial, and communications applications. -
Pinout
The SI6562CDQ-T1-GE3 is a dual N-channel, 24 V PowerPAK SO-8L MOSFET with a pin count of 8. It is primarily used as a power switch in a wide range of electronic devices to control the flow of current. -
Manufacturer
The manufacturer of the SI6562CDQ-T1-GE3 is Vishay Semiconductor. Vishay Semiconductor is a company that specializes in manufacturing a wide range of discrete semiconductors and passive electronic components. They are known for their high-quality products that are used in various industries such as automotive, industrial, telecommunications, and consumer electronics. -
Application Field
The SI6562CDQ-T1-GE3 is commonly used in buck-boost voltage regulators and power management applications. It can be found in various electronic devices such as smart phones, tablets, portable devices, and power supplies where efficient power conversion is necessary to regulate voltage levels and maximize battery life. -
Package
The SI6562CDQ-T1-GE3 chip comes in a QFN package type, in the form of a surface mount, and has a size of 3mm x 3mm.
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