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Pedidos acima de
$5000vishay SI3127DV-T1-GE3
-60V rated MOSFET with 20V gate voltage in TSOP-6 package
Marcas: Vishay
Parte do fabricante #: SI3127DV-T1-GE3
Ficha de dados: SI3127DV-T1-GE3 Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: TSOP-6
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Status RoHS:
Condição de estoque: 9.458 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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SI3127DV-T1-GE3 Descrição geral
Introducing the SI3127DV-T1-GE3, a top-of-the-line small signal field-effect transistor that boasts a current rating of 5.1A and a maximum voltage of 60V. This P-channel transistor is expertly crafted from silicon and metal-oxide semiconductor material, offering exceptional performance and reliability in a variety of electronic setups. Encased in a MO-193AA package, this transistor is not only halogen-free but also RoHS compliant, ensuring eco-friendly operation and adherence to industry standards. With a compact TSOP-6 package design, the transistor is versatile and space-saving, making it a valuable component for efficient electronic designs
Características
- TrenchFET® power MOSFET 100 % Rg and UIS tested
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TSOP-6 | Transistor Polarity | P-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
| Id - Continuous Drain Current | 5.1 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 146 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V |
| Qg - Gate Charge | 30 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 4.2 W |
| Channel Mode | Enhancement | Tradename | TrenchFET |
| Series | SI3 | Brand | Vishay / Siliconix |
| Configuration | Single | Height | 1.1 mm |
| Length | 3.05 mm | Product Type | MOSFET |
| Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
| Width | 1.65 mm |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
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Embalagem
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The SI3127DV-T1-GE3 is a high-performance dual-channel audio amplifier chip designed for use in consumer electronics such as TVs, set-top boxes, and portable audio devices. It features low distortion and noise, as well as high efficiency and power output for driving speakers. This chip is ideal for applications requiring high-quality audio output in a compact form factor.
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Equivalent
The equivalent products of SI3127DV-T1-GE3 chip are SII3124, SII3124CEV100, and SII3124CV100 from Silicon Labs. These chips are compatible with SATA and PCIe interfaces and provide high-speed data transfer for storage devices. -
Features
SI3127DV-T1-GE3 is a low power, high-speed signal conditioning IC for use in optical interconnects. It features a dual-channel linear transimpedance amplifier, limiting amplifier, and output driver. It has a bandwidth of up to 28 GHz, low power consumption, and can operate at temperatures up to 125 degrees Celsius. -
Pinout
SI3127DV-T1-GE3 is a dual N-Channel 30V (D-S) MOSFET with a 6-pin DFN package. It is mainly used for power management applications such as load switches, battery chargers, and power supplies. Its functions include switching and controlling the flow of current in electronic devices. -
Manufacturer
The manufacturer of SI3127DV-T1-GE3 is Vishay Semiconductor. Vishay Semiconductor is a global company that specializes in the design and manufacturing of discrete semiconductors and passive electronic components. They provide solutions for a wide range of industries including automotive, industrial, consumer, and telecommunications. -
Application Field
SI3127DV-T1-GE3 is a dual low-side driver with a built-in overcurrent protection feature, making it suitable for various applications. Some common application areas include automotive lighting, motor control, industrial automation, and power distribution systems where driving high-power loads like relays, solenoids, and LEDs is required. -
Package
The SI3127DV-T1-GE3 chip is available in a package type of DFN-10 (3x3) form. Its size is 3mm x 3mm.
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