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$5000
vishay SI2312CDS-T1-GE3
Single N-Channel 20 V 31.8 mO 8.8 nC Surface Mount Mosfet - SOT-23
Marcas: VISHAY
Parte do fabricante #: SI2312CDS-T1-GE3
Ficha de dados: SI2312CDS-T1-GE3 Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: SOT-23
Status RoHS:
Condição de estoque: 6.000 peças, novo original
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Preço Externo |
|---|---|---|
| 5 | $0,184 | $0,920 |
| 50 | $0,163 | $8,150 |
| 150 | $0,153 | $22,950 |
| 500 | $0,142 | $71,000 |
| 3000 | $0,117 | $351,000 |
| 6000 | $0,113 | $678,000 |
Em estoque: 6.000 PCS
SI2312CDS-T1-GE3 Descrição geral
Operating within a wide temperature range of -55°C to +150°C, the SI2312CDS-T1-GE3 MOSFET offers reliability in harsh environmental conditions. Its compact SOT-23 package with 3 pins makes it easy to integrate into circuit designs. With a maximum gate-source voltage of 8V, this N-channel MOSFET ensures stable and reliable operation in various applications
Características
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 | Transistor Polarity | N-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current | 6 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 31.8 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 8 V, + 8 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V |
| Qg - Gate Charge | 8.8 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 2.1 W |
| Channel Mode | Enhancement | Tradename | TrenchFET |
| Series | SI2 | Brand | Vishay Semiconductors |
| Configuration | Single | Fall Time | 8 ns |
| Height | 1.45 mm | Length | 2.9 mm |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 17 ns |
| Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 1 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 31 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 8 ns | Width | 1.6 mm |
| Part # Aliases | SI2312CDS-T1-BE3 SI2312CDS-GE3 SI7621DN-T1-GE3 |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
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Embalagem
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Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The SI2312CDS-T1-GE3 chip is a component used in electronic devices for switching applications. It is a P-Channel MOSFET transistor designed for low voltage applications. This chip offers low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power management tasks. It is commonly used in various consumer electronics, such as smartphones, tablets, and portable devices, to control the flow of electrical currents.
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Equivalent
The equivalent products of SI2312CDS-T1-GE3 chip include SI2312CDS-T1-GE4, SI2312CDS-T1-GE3R, and SI2312CDS-T1-GE3R2. -
Features
The SI2312CDS-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET transistor. It has a low on-resistance, high power and current handling capability, and is suitable for use in various applications such as power management, battery protection, and DC-DC converters. -
Pinout
SI2312CDS-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET. It has a pin count of 6. The pin configuration is as follows: Pin 1, Gate 1; Pin 2, Source 1; Pin 3, Drain 1; Pin 4, Source 2; Pin 5, Drain 2; Pin 6, Gate 2. The dual MOSFET is commonly used for power control applications. -
Manufacturer
The manufacturer of SI2312CDS-T1-GE3 is Vishay Siliconix. It is a company that specializes in developing and manufacturing a wide range of semiconductor devices and electronic components. -
Application Field
The SI2312CDS-T1-GE3 is a MOSFET transistor commonly used in various applications including power management, motor control, switch-mode power supplies, and electronic circuits requiring low voltage and high power efficiency. It is designed for use in a wide range of industries such as automotive, telecommunications, consumer electronics, and industrial automation. -
Package
The SI2312CDS-T1-GE3 chip is packaged in SOT-23 form factor. Its package size is compact and measures approximately 3mm x 1.4mm x 1.1mm.
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