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Pedidos acima de
$5000SI2342DS-T1-GE3
This MOSFET, identified as SI2342DS-T1-GE3, features N-channel design, supports up to 8 volts and 6 amps, and comes in the SOT-23 package
Marcas: Vishay
Parte do fabricante #: SI2342DS-T1-GE3
Ficha de dados: SI2342DS-T1-GE3 Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: SOT-23-3
Status RoHS:
Condição de estoque: 8.841 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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SI2342DS-T1-GE3 Descrição geral
MOSFET, N-CH, 8V, 6A, SOT-23; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 6A; Drain Source Voltage Vds: 8V; On Resistance Rds(on): 0.014ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5V; Threshold Voltage Vgs: 800mV; Power Dissipation Pd: 2.5W; Transistor Case Style: SOT-23; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: TrenchFET Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (20-Jun-2016)
Características
Aplicativo
Load Switches for Low Voltage Gate Drive |Low Voltage Operating Circuits - Gate Drive 1.2 V to 5 VEspecificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 | Transistor Polarity | N-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 8 V |
| Id - Continuous Drain Current | 6 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 17 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 5 V, + 5 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 800 mV |
| Qg - Gate Charge | 6 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 2.5 W |
| Channel Mode | Enhancement | Tradename | TrenchFET |
| Series | SI2 | Brand | Vishay / Siliconix |
| Configuration | Single | Fall Time | 25 ns |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 14 ns |
| Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 1 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 65 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 6 ns | Part # Aliases | SI2342DS-T1-BE3 |
| Unit Weight | 0.000282 oz |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa1 :produtos
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![Embalagem a vácuo]( "Embalagem a vácuo")
Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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![Embalagem individual]( "Embalagem individual")
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The SI2342DS-T1-GE3 chip is an integrated circuit designed for power management applications. It features a small form factor and low on-resistance, making it suitable for use in portable electronics and battery-powered devices. The chip provides efficient voltage regulation, thermal protection, and fault detection capabilities. Its compact size and performance characteristics make it an ideal choice for compact and energy-efficient electronic designs.
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Equivalent
The equivalent products of the SI2342DS-T1-GE3 chip are the SI4835DDY-T1-GE3, SI4435DY-T1-GE3, and SI2351DS-T1-GE3 chips. -
Features
The SI2342DS-T1-GE3 is a P-channel MOSFET with a maximum voltage rating of -20V and a maximum current rating of -2.5A. It features low on-resistance and fast switching speed, making it suitable for various electronic applications. It comes in a compact, surface-mount package for easy installation. -
Pinout
The SI2342DS-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET with a pin count of 6. It is designed for applications requiring high-speed switching and low gate drive power. The pinout includes the gate, source, and drain pins for each of the two internal MOSFETs. -
Manufacturer
The manufacturer of the SI2342DS-T1-GE3 is Vishay Siliconix. Vishay Siliconix is a semiconductor manufacturer that specializes in producing power MOSFETs, analog switches, and integrated circuits for various applications. They are known for their high-quality and reliable semiconductor solutions. -
Application Field
The SI2342DS-T1-GE3 is a P-channel MOSFET transistor and can be used in various applications such as power management, load switching, and battery protection circuits. It is commonly used in portable electronic devices, automotive applications, and other low-voltage and low-power applications where efficient power control is required. -
Package
The SI2342DS-T1-GE3 chip comes in a SOT-23 package, which is a small surface-mount package that measures approximately 2.9 mm x 1.3 mm x 1.0 mm.
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