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ST SCTWA70N120G2V-4
N-Channel 1200 V 91A (Tc) 547W Through Hole TO-247-4
![ISO14001](/img/about/iso14001.png)
![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
Marcas: STMicroelectronics, Inc
Parte do fabricante #: SCTWA70N120G2V-4
Ficha de dados: SCTWA70N120G2V-4 Datasheet (PDF)
Pacote/Caso: HiP247-4
Status RoHS:
Condição de estoque: 3.789 peças, novo original
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Todos os preços estão em USD
Quantidade | Preço unitário | Preço Externo |
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1 | $20,475 | $20,475 |
30 | $19,622 | $588,660 |
Em estoque: 3.789 PCS
SCTWA70N120G2V-4 Descrição geral
This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2ndgeneration SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
Características
- Very fast and robust intrinsic body diode
- Extremely low gate charge and input capacitance
- Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)
- Source sensing pin for increased efficiency
Especificações
Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
---|---|---|---|
feature-packaging | Tube | feature-rad-hard | |
feature-pin-count | 4 | feature-supplier-package | HIP-247 |
feature-standard-package-name1 | feature-cecc-qualified | ||
feature-esd-protection | feature-escc-qualified | ||
feature-military | No | feature-aec-qualified | No |
feature-aec-qualified-number | feature-auto-motive | No | |
feature-p-pap | No | feature-eccn-code | EAR99 |
feature-svhc | Yes |
Envio
Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
Termos de pagamento | Taxa de mão | |
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Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
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PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
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Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa1 :produtos
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The SCTWA70N120G2V-4 chip is a power mosfet that is designed for high-speed switching applications. it offers low on-state resistance and excellent switching performance, making it suitable for use in a wide range of power electronics applications. the chip features advanced technology and a compact package, making it a reliable and efficient choice for various electronic systems.
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Features
The main features of the SCTWA70N120G2V-4 are: 1. silicon carbide power mosfet. 2. high blocking voltage of 1200v. 3. low on-resistance for efficient power handling. 4. suitable for high-frequency and high-temperature applications. 5. enhanced gate oxide for improved ruggedness. 6. low gate charge for fast switching and reduced power losses. -
Pinout
The SCTWA70N120G2V-4 is a power mosfet with a to-247 package. it has 3 pins: gate, drain, and source. the gate pin controls the flow of current between the drain and source, making it suitable for power switching applications. -
Manufacturer
The manufacturer of the SCTWA70N120G2V-4 is infineon technologies ag. infineon is a german semiconductor manufacturer that specializes in producing integrated circuits and system solutions for various industries, including automotive, industrial, and power electronics. -
Application Field
The SCTWA70N120G2V-4 is a silicon carbide power mosfet that can be used in various applications, including high-power converters, motor drives, solar inverters, and electric vehicles. it offers low on-resistance and high switching capability, making it suitable for high-performance and efficiency requirements in these fields. -
Package
The SCTWA70N120G2V-4 chip is available in a to-247 package type with a 3-pin form and a size of approximately 21.34mm x 15.49mm.
Ficha de dados PDF
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Temos produtos ricos que podem atender às suas diversas necessidades.
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A quantidade mínima de pedido começa em 1 unidade.
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A menor taxa de envio internacional começa em US$ 0,00
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Overall satisfied with the purchase, but some of the components were not exactly what we were expecting.