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ST SCTWA70N120G2V-4 48HRS

N-Channel 1200 V 91A (Tc) 547W Through Hole TO-247-4

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marcas: STMicroelectronics, Inc

Parte do fabricante #: SCTWA70N120G2V-4

Ficha de dados: SCTWA70N120G2V-4 Datasheet (PDF)

Pacote/Caso: HiP247-4

Status RoHS:

Condição de estoque: 3.789 peças, novo original

Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Preços

*Todos os preços estão em USD

Quantidade Preço unitário Preço Externo
1 $20,475 $20,475
30 $19,622 $588,660

Em estoque: 3.789 PCS

- +

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SCTWA70N120G2V-4 Descrição geral

This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2ndgeneration SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.

Características

  • Very fast and robust intrinsic body diode
  • Extremely low gate charge and input capacitance
  • Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)
  • Source sensing pin for increased efficiency

Especificações

Parâmetro Valor Parâmetro Valor
feature-packaging Tube feature-rad-hard
feature-pin-count 4 feature-supplier-package HIP-247
feature-standard-package-name1 feature-cecc-qualified
feature-esd-protection feature-escc-qualified
feature-military No feature-aec-qualified No
feature-aec-qualified-number feature-auto-motive No
feature-p-pap No feature-eccn-code EAR99
feature-svhc Yes

Envio

Tipo de envio Taxa de envio Tempo de espera
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
CORREIO AÉREO REGISTADO CORREIO AÉREO REGISTADO $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias

Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.

Pagamento

Termos de pagamento Taxa de mão
Transferência bancária Transferência bancária cobrar taxa bancária de US$ 30,00.
PayPal PayPal cobrar taxa de serviço de 4,0%.
Cartão de crédito Cartão de crédito cobrar taxa de serviço de 3,5%.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Grama de dinheiro Grama de dinheiro cobrar taxa bancária de US$ 0,00.

Garantias

1.Os componentes eletrônicos que você compra incluem garantia de 365 dias, garantimos a qualidade do produto.

2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.

Embalagem

  • produtos

    Etapa1 :produtos

  • Embalagem a vácuo

    Etapa2 :Embalagem a vácuo

  • Saco antiestático

    Etapa3 :Saco antiestático

  • Embalagem individual

    Etapa4 :Embalagem individual

  • Caixas de embalagem

    Etapa5 :Caixas de embalagem

  • etiqueta de envio com código de barras

    Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras

Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.

Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.

Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.

Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.

  • ESD
  • ESD

Part points

  • The SCTWA70N120G2V-4 chip is a power mosfet that is designed for high-speed switching applications. it offers low on-state resistance and excellent switching performance, making it suitable for use in a wide range of power electronics applications. the chip features advanced technology and a compact package, making it a reliable and efficient choice for various electronic systems.
  • Features

    The main features of the SCTWA70N120G2V-4 are: 1. silicon carbide power mosfet. 2. high blocking voltage of 1200v. 3. low on-resistance for efficient power handling. 4. suitable for high-frequency and high-temperature applications. 5. enhanced gate oxide for improved ruggedness. 6. low gate charge for fast switching and reduced power losses.
  • Pinout

    The SCTWA70N120G2V-4 is a power mosfet with a to-247 package. it has 3 pins: gate, drain, and source. the gate pin controls the flow of current between the drain and source, making it suitable for power switching applications.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the SCTWA70N120G2V-4 is infineon technologies ag. infineon is a german semiconductor manufacturer that specializes in producing integrated circuits and system solutions for various industries, including automotive, industrial, and power electronics.
  • Application Field

    The SCTWA70N120G2V-4 is a silicon carbide power mosfet that can be used in various applications, including high-power converters, motor drives, solar inverters, and electric vehicles. it offers low on-resistance and high switching capability, making it suitable for high-performance and efficiency requirements in these fields.
  • Package

    The SCTWA70N120G2V-4 chip is available in a to-247 package type with a 3-pin form and a size of approximately 21.34mm x 15.49mm.

Ficha de dados PDF

Especificação Preliminar SCTWA70N120G2V-4 PDF Download

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    A quantidade mínima de pedido começa em 1 unidade.

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    A menor taxa de envio internacional começa em US$ 0,00

  • garantia

    365 dias de garantia de qualidade para todos os produtos

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