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$5000ST SCTWA50N120
MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm
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![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
Marcas: STMicroelectronics, Inc
Parte do fabricante #: SCTWA50N120
Ficha de dados: SCTWA50N120 Datasheet (PDF)
Pacote/Caso: HiP-247-3
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Status RoHS:
Condição de estoque: 3.464 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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SCTWA50N120 Descrição geral
This silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature. The outstanding thermal properties of the SiC material allows designers to use an industry-standard outline with significantly improved thermal capability. These features render the device perfectly suitable for high-efficiency and high power density applications.
Características
- Very tight variation of on-resistance vs. temperature
- Very high operating junction temperature capability (TJ = 200
°C) - Very fast and robust intrinsic body diode
- Low capacitance
Especificações
Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
---|---|---|---|
Manufacturer: | STMicroelectronics | Product Category: | MOSFET |
RoHS: | Y | Technology: | SiC |
Mounting Style: | Through Hole | Package / Case: | HiP-247-3 |
Number of Channels: | 1 Channel | Transistor Polarity: | N-Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV | Id - Continuous Drain Current: | 65 A |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 52 mOhms | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.8 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | 25 V | Qg - Gate Charge: | 122 nC |
Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 200 C |
Pd - Power Dissipation: | 318 W | Configuration: | Single |
Channel Mode: | Enhancement | Tradename: | HiP247â?¢ |
Series: | SCTWA50N120 | Transistor Type: | 1 N-Channel |
Brand: | STMicroelectronics | Product Type: | MOSFET |
Factory Pack Quantity: | 600 | Subcategory: | MOSFETs |
Tags | SCTWA, SCTW, SCT | Pin Count | 3 |
Package Category | Transistor Outline, Vertical | Released Date | Nov 11, 2021 |
Last Modified Date | Mar 7, 2023 4:10 PM UTC |
Envio
Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
Termos de pagamento | Taxa de mão | |
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PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
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Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa1 :produtos
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
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Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
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