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Pedidos acima de
$5000ST PD55003-E
RF Mosfet 12.5 V 50 mA 500MHz 17dB 3W 10-PowerSO
Marcas: Stmicroelectronics Nv
Parte do fabricante #: PD55003-E
Ficha de dados: PD55003-E Datasheet (PDF)
Pacote/Caso: PowerSO-10RF (formed lead)
Tipo de Produto: RF FETs, MOSFETs
Status RoHS:
Condição de estoque: 3.939 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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PD55003-E Descrição geral
The PD55003-E is a common source N-channel, enhancement-mode lateral field-effect RF power transistor. It is designed for high gain, broad band commercial and industrial applications. It operates at 12 V in common source mode at frequencies of up to 1 GHz. The PD55003 boasts excellent gain, linearity and reliability thanks to ST’s latest LDMOS technology mounted in the first true SMD plastic RF power package, the PowerSO-10RF.The PD55003’s superior linearity performance makes it an ideal solution for car mobile radios.The PowerSO-10RF plastic package is designed for high reliability, and is the first JEDEC-approved, high power SMD package from ST. It has been optimized for RF requirements and offers excellent RF performance and ease of assembly.Mounting recommendations are provided in application note AN1294, available on www.st.com.
Características
- Excellent thermal stability
- Common source configuration
- POUT= 3 W with 17dB gain @ 500 MHz / 12.5 V
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | STMicroelectronics | Product Category: | RF MOSFET Transistors |
| RoHS: | Details | Transistor Polarity: | N-Channel |
| Technology: | Si | Id - Continuous Drain Current: | 2.5 A |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V | Rds On - Drain-Source Resistance: | - |
| Operating Frequency: | 1 GHz | Gain: | 17 dB |
| Output Power: | 3 W | Minimum Operating Temperature: | - 65 C |
| Maximum Operating Temperature: | + 150 C | Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PowerSO-10RF-Formed-4 | Packaging: | Tube |
| Brand: | STMicroelectronics | Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single | Forward Transconductance - Min: | 1 S |
| Height: | 3.5 mm | Length: | 7.5 mm |
| Moisture Sensitive: | Yes | Pd - Power Dissipation: | 31.7 W |
| Product Type: | RF MOSFET Transistors | Series: | PD55003-E |
| Factory Pack Quantity: | 400 | Subcategory: | MOSFETs |
| Transistor Type: | LDMOS FET | Type: | RF Power MOSFET |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | 20 V | Width: | 9.4 mm |
| Unit Weight: | 0.105822 oz |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
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Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
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PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
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Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
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 |
Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
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The price was competitive but the quality was average.