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K4H511638D-UCB3
DDR memory module with a capacity of 32MX16 and a fast access time of 0.7ns
Marcas: Samsung Semiconductor
Parte do fabricante #: K4H511638D-UCB3
Ficha de dados: K4H511638D-UCB3 Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: TSOP-66
Status RoHS:
Condição de estoque: 3252 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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Adicionar à lista técnicaK4H511638D-UCB3 Descrição geral
K4H511638D-UCB3 is a DDR2 SDRAM module manufactured by Samsung. It has a capacity of 512MB and operates at a clock speed of 333MHz. The module is designed to work with a 240-pin DIMM memory slot and has a voltage rating of 1.8V.The K4H511638D-UCB3 module is optimized for use in desktop computers and offers high performance and reliability. It is ideal for multitasking, gaming, and other demanding applications that require fast and efficient memory access.In terms of compatibility, the K4H511638D-UCB3 module can be used in various systems that support DDR2 SDRAM memory. It is easy to install and requires no additional configuration, making it a convenient upgrade option for users looking to boost their system's performance.
Características
Aplicativo
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Pbfree Code | Yes | Rohs Code | Yes |
| Part Life Cycle Code | Obsolete | Ihs Manufacturer | SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC |
| ECCN Code | EAR99 | HTS Code | 8542.32.00.28 |
| Access Time-Max | 0.7 ns | Clock Frequency-Max (fCLK) | 166 MHz |
| I/O Type | COMMON | Interleaved Burst Length | 2,4,8 |
| JESD-30 Code | R-PDSO-G66 | JESD-609 Code | e6 |
| Memory Density | 536870912 bit | Memory IC Type | DDR1 DRAM |
| Memory Width | 16 | Moisture Sensitivity Level | 2 |
| Number of Terminals | 66 | Number of Words | 33554432 words |
| Number of Words Code | 32000000 | Operating Temperature-Max | 70 °C |
| Organization | 32MX16 | Output Characteristics | 3-STATE |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Code | TSSOP |
| Package Equivalence Code | TSSOP66,.46 | Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
| Power Supplies | 2.5 V | Qualification Status | Not Qualified |
| Refresh Cycles | 8192 | Sequential Burst Length | 2,4,8 |
| Standby Current-Max | 0.005 A | Supply Current-Max | 0.38 mA |
| Supply Voltage-Nom (Vsup) | 2.5 V | Surface Mount | YES |
| Technology | CMOS | Temperature Grade | COMMERCIAL |
| Terminal Finish | TIN BISMUTH | Terminal Form | GULL WING |
| Terminal Pitch | 0.635 mm |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
 |
Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
 |
PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
 |
Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
 |
Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa1 :produtos
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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![etiqueta de envio com código de barras]( "etiqueta de envio com código de barras")
Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The K4H511638D-UCB3 chip is a type of dynamic random-access memory (DRAM) used in various electronic devices. It has a capacity of 512 megabits and operates at a high speed. The chip is particularly designed for applications requiring low power consumption while maintaining efficient performance. It is widely used in smartphones, tablets, and other devices that require reliable and fast memory storage.
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Pinout
The K4H511638D-UCB3 is a 512Mb DDR SDRAM with a 66-pin FBGA package. It has a common (C) bus width of 4 bits and operates at a maximum data transfer speed of up to 166 MHz. -
Manufacturer
Samsung is the manufacturer of K4H511638D-UCB3. It is a multinational conglomerate company based in South Korea. -
Application Field
The K4H511638D-UCB3 is a type of semiconductor memory chip commonly used in the manufacturing of electronic devices like computers, smartphones, and gaming consoles. It is specifically designed for high-speed data storage and retrieval, making it suitable for applications that require fast and efficient memory operations. -
Package
The K4H511638D-UCB3 chip is available in a TSOP II package type, with a 66-pin form factor. The chip has a size of 10mm x 12mm.
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