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Pedidos acima de
$5000K4T1G164QQ-HCE6
Marcas: SAMSUNG
Parte do fabricante #: K4T1G164QQ-HCE6
Ficha de dados: K4T1G164QQ-HCE6 Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: FBGA-84
Tipo de Produto: Memória
Status RoHS:
Condição de estoque: 6.547 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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K4T1G164QQ-HCE6 Descrição geral
The 1Gb DDR2 SDRAM is organized as a 32Mbit x 4 I/Os x 8banks, 16Mbit x 8 I/Os x 8banks or 8Mbit x 16 I/Os x 8 banks device. This synchronous device achieves high speed double data-rate transfer rates of up to 800Mb/sec/pin (DDR2-800) for general applications.Key Features • JEDEC standard 1.8V ± 0.1V Power Supply • VDDQ = 1.8V ± 0.1V • 333MHz fCK for 667Mb/sec/pin, 400MHz fCK for 800Mb/sec/pin • 8 Banks • Posted CAS • Programmable CAS Latency: 3, 4, 5, 6 • Programmable Additive Latency: 0, 1, 2, 3, 4, 5 • Write Latency(WL) = Read Latency(RL) -1 • Burst Length: 4 , 8(Interleave/nibble sequential) • Programmable Sequential / Interleave Burst Mode • Bi-directional Differential Data-Strobe (Single-ended data strobe is an optional feature) • Off-Chip Driver(OCD) Impedance Adjustment • On Die Termination • Special Function Support - PASR(Partial Array Self Refresh) - 50ohm ODT - High Temperature Self-Refresh rate enable • Average Refresh Period 7.8us at lower than TCASE 85°C, 3.9us at 85°C
Características
Aplicativo
Especificações
Parâmetro
Valor
Parâmetro
Valor
Manufacturer
SAMSUNG
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
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Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
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PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
 |
Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.
Embalagem
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Etapa1 :produtos
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The K4T1G164QQ-HCE6 is a DDR3 SDRAM chip manufactured by Samsung. It has a capacity of 1GB and a data rate of 1600 Mbps. This chip is commonly used in computer memory modules and other electronic devices that require high-speed data processing.
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Equivalent
The equivalent products of K4T1G164QQ-HCE6 chip are MT47H128M16RT-25E:E, IS43LR16640E-6BLI, AS4C128M16D3L-12BC, W631GG6KB-12, and MTA18ASF2G72HZ-2G3. -
Features
K4T1G164QQ-HCE6 is a 1-Gigabit DDR2 SDRAM module designed for use in a variety of electronic devices. It features a data transfer rate of 800 Mbps, operates at a supply voltage of 1.8V, and has a CAS Latency of CL6. It is RoHS compliant and meets all JEDEC standards for reliability and performance. -
Pinout
The K4T1G164QQ-HCE6 is a 1Gb DDR2 SDRAM with a 84-ball FBGA package. It has a 1.8V power supply and operates at a frequency of 533MHz. The pin count is 84 and the function of the device is to provide high-speed memory storage for electronic devices such as computers, smartphones, and networking equipment. -
Manufacturer
The manufacturer of the K4T1G164QQ-HCE6 is Samsung Electronics Co., Ltd. Samsung Electronics is a multinational conglomerate company based in South Korea that specializes in electronics, including smartphones, televisions, semiconductors, and various digital appliances. They are one of the largest technology companies in the world. -
Application Field
The K4T1G164QQ-HCE6 is commonly used in various electronic devices such as laptops, desktop computers, servers, network switches, and other digital devices requiring high-performance DDR3 SDRAM memory. It is also suitable for applications in graphics cards, gaming consoles, industrial automation, and automotive electronics due to its high-speed data processing capabilities. -
Package
The K4T1G164QQ-HCE6 chip is a 1GB DDR3 SDRAM memory module. It comes in a 78-ball FBGA package with a form factor of 8Mx16 and a size of 15mm x 13mm.
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A menor taxa de envio internacional começa em US$ 0,00
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