Pedidos acima de
$5000Infineon IRF5210SPBF
High-power, high-speed power electronic device for motor control and power conversion application
![ISO14001](/img/about/iso14001.png)
![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
Marcas: Infineon
Parte do fabricante #: IRF5210SPBF
Ficha de dados: IRF5210SPBF Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: TO-252-3
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Status RoHS:
Condição de estoque: 9.458 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
0
1
IRF5210SPBF Descrição geral
P-Channel 100 V 38A (Tc) 3.1W (Ta), 170W (Tc) Surface Mount D2PAK
Características
- Advanced Process Technology
- Ultra Low On-Resistance 150°C Operating Temperature Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Some Parameters are Different from IRF5210S/L P-Channel Lead-Free
Especificações
Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
---|---|---|---|
Manufacturer: | Infineon | Product Category: | MOSFET |
RoHS: | Details | Technology: | Si |
Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | TO-252-3 |
Transistor Polarity: | P-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V | Id - Continuous Drain Current: | 40 A |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 60 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V |
Qg - Gate Charge: | 120 nC | Minimum Operating Temperature: | - 55 C |
Maximum Operating Temperature: | + 150 C | Pd - Power Dissipation: | 3.8 W |
Channel Mode: | Enhancement | Packaging: | Tube |
Brand: | Infineon Technologies | Configuration: | Single |
Fall Time: | 55 ns | Height: | 2.3 mm |
Length: | 6.5 mm | Product Type: | MOSFET |
Rise Time: | 63 ns | Factory Pack Quantity: | 1000 |
Subcategory: | MOSFETs | Transistor Type: | 1 P-Channel |
Type: | HEXFET Power MOSFET | Typical Turn-Off Delay Time: | 72 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 14 ns | Width: | 6.22 mm |
Part # Aliases: | SP001570130 |
Envio
Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
---|---|---|---|
![]() |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
![]() |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
![]() |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
![]() |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
![]() |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
![]() |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
Termos de pagamento | Taxa de mão | |
---|---|---|
![]() |
Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
![]() |
PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
![]() |
Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
![]() |
Western Union | charge US.00 banking fee. |
![]() |
Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
Garantias
1.Os componentes eletrônicos que você compra incluem garantia de 365 dias, garantimos a qualidade do produto.
2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.
Embalagem
-
Etapa1 :produtos
-
Etapa2 :Embalagem a vácuo
-
Etapa3 :Saco antiestático
-
Etapa4 :Embalagem individual
-
Etapa5 :Caixas de embalagem
-
Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
-
The IRF5210SPBF is a power MOSFET transistor designed for high-performance applications. It features a low on-state resistance, high current capability, and fast switching speeds. This chip is commonly used in power supply, motor control, and other high-power applications due to its reliable performance and efficiency.
-
Equivalent
Some equivalent products of the IRF5210SPBF chip are IRF5210PBF, IRF530N, IRF540N, and IRF9310. -
Features
- Enhancement mode power MOSFET - 100V drain-source voltage rating - 33A continuous drain current - Low on-state resistance - Suitable for high power applications such as motor control and power supplies - SIP package with gull-wing leads for surface mounting -
Pinout
IRF5210SPBF is a Power MOSFET with a TO-263 package, having a pin count of 3 (Gate, Drain, Source). It is used for high-performance power switching applications due to its low on-state resistance. -
Manufacturer
IRF5210SPBF is manufactured by Infineon Technologies AG. Infineon Technologies is a German semiconductor manufacturer. They specialize in producing a wide range of semiconductor solutions for automotive, industrial, and consumer electronics applications. Infineon is a leading global supplier of power semiconductors, offering high-quality products for various industries and markets. -
Application Field
IRF5210SPBF is commonly used in applications such as power supplies, motor control, and automotive systems to switch high current loads efficiently. It is also used in solar inverters, voltage regulators, and battery chargers for stable and reliable performance. -
Package
The IRF5210SPBF chip is a TO-262 package type with a through hole mounting form. It has a size of 10.16mm x 12.70mm x 4.57mm (0.400" x 0.500" x 0.180").
Oferecemos produtos de alta qualidade, serviço atencioso e garantia pós-venda
-
Temos produtos ricos que podem atender às suas diversas necessidades.
-
A quantidade mínima de pedido começa em 1 unidade.
-
A menor taxa de envio internacional começa em US$ 0,00
-
365 dias de garantia de qualidade para todos os produtos