Pedidos acima de
$5000CM200DY-24NF
Transistor IGBT Module
Marcas: Mitsubishi Electric
Parte do fabricante #: CM200DY-24NF
Ficha de dados: CM200DY-24NF Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: Module
Status RoHS:
Condição de estoque: 8.972 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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CM200DY-24NF Descrição geral
The CM200DY-24NF is a power module from Powerex that consists of two IGBT modules rated at 200A and 1200V each. This module is designed for use in high power applications such as motor drives, welding systems, and renewable energy systems. The CM200DY-24NF features a compact and rugged design that allows for easy integration into existing systems. It also has a low thermal resistance, which helps to improve efficiency and reliability. The module is equipped with a built-in temperature sensor that helps prevent overheating and ensures the module operates within safe operating limits.This power module is insulated with a ceramic substrate that provides excellent electrical insulation and thermal conductivity. It also has integrated flyback diodes that protect against voltage spikes and ensure smooth operation. The module is designed to operate in a wide temperature range, from -40°C to 125°C, making it suitable for use in harsh environments.
Características
- High power insulated package
- Low VCE(sat) thick AlN ceramic substratePower cycling capabilityUL recognized, file no. E-60700UL file No. E223674 for Photovoltaic applications and Motor drives enough creepage distanceRoHS compliantType: IGBT moduleVoltage: 1200VCurrent: 200APackage: Module
Aplicativo
- Industrial motor drives
- Power supplies
- Wind energy systems
- Solar inverters
- Uninterruptible power supplies (UPS)
- Electric vehicles (EVs) and hybrid electric vehicles (HEVs)
- Power factor correction (PFC) systems
- Telecommunication systems
- High-frequency induction heating systems
- Medical equipment
Especificações
Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
---|---|---|---|
Product Category | IGBT Modules | RoHS | Details |
Product | IGBT Silicon Modules | Configuration | Dual |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 1.2 kV | Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.8 V |
Continuous Collector Current at 25 C | 200 A | Gate-Emitter Leakage Current | 500 nA |
Pd - Power Dissipation | 1.13 kW | Minimum Operating Temperature | - 40 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Brand | Mitsubishi Electric |
Maximum Gate Emitter Voltage | 20 V | Mounting Style | Screw Mount |
Product Type | IGBT Modules | Factory Pack Quantity | 10 |
Subcategory | IGBTs |
Envio
Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
---|---|---|---|
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
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Termos de pagamento | Taxa de mão | |
---|---|---|
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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