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$5000Infineon BCX42E6327
BCX42E6327: An Infineon-manufactured PNP Bipolar Transistor, designed for applications up to 800 mA and 125 V, enclosed in a 3-Pin SOT-23 package
Marcas: Infineon Technologies Corporation
Parte do fabricante #: BCX42E6327
Ficha de dados: BCX42E6327 Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: SOT23
Tipo de Produto: Single Bipolar Transistors
Status RoHS:
Condição de estoque: 3.655 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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BCX42E6327 Descrição geral
Bipolar (BJT) Transistor PNP 125 V 800 mA 150MHz 330 mW Surface Mount PG-SOT23
Características
- Type of transistor: NPN bipolar junction transistor (BJT)
- Maximum collector-emitter voltage: 80V
- Maximum collector current: 100mA
- Maximum power dissipation: 350mW
- Transistor case style: SOT-23
Aplicativo
- BCX41 (NXP Semiconductors)
- MMBT5401LT1G (ON Semiconductor)
- 2SA1943 (Toshiba)
- BD139-16 (STMicroelectronics)
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | Infineon | Product Category: | Bipolar Transistors - BJT |
| RoHS: | Details | Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 | Transistor Polarity: | PNP |
| Configuration: | Single | Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 125 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 125 V | Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 900 mV | Maximum DC Collector Current: | 800 mA |
| Pd - Power Dissipation: | 330 mW | Gain Bandwidth Product fT: | 150 MHz |
| Minimum Operating Temperature: | - 65 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Qualification: | AEC-Q101 | Series: | BCX42 |
| Packaging: | MouseReel | Brand: | Infineon Technologies |
| Continuous Collector Current: | 800 mA | Height: | 1 mm |
| Length: | 2.9 mm | Product Type: | BJTs - Bipolar Transistors |
| Factory Pack Quantity: | 3000 | Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si | Width: | 1.3 mm |
| Part # Aliases: | SP000010900 BCX42E6327XT BCX42E6327HTSA1 |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
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Part points
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The BCX42E6327 chip is a high-voltage, high-speed NPN bipolar transistor designed for general-purpose switching and amplification applications. It features a maximum collector-emitter voltage of 30V and a collector current of 500mA, making it suitable for a wide range of electronic circuits requiring fast switching speeds and high voltages.
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Equivalent
The equivalent products of BCX42E6327 chip are BCX70KR, BCX71KR, BCX71LG, and BCW56. These are all silicon NPN transistors with similar specifications and performance characteristics. (Note: This information may vary depending on the specific requirements and application of the chip.) -
Features
- PNP silicon transistors - Low collector-emitter saturation voltage - High current gain - High switching speed - Capable of handling high current and voltage - RoHS compliant - Available in an SOT-223 package - Suitable for a variety of applications including amplifier and switching circuits -
Pinout
The BCX42E6327 is a NPN silicon epitaxial planar transistor with a pin count of 3. Pin 1 is the emitter, pin 2 is the base, and pin 3 is the collector. This transistor is commonly used in high-frequency applications such as switching and amplification. -
Manufacturer
Infineon Technologies is the manufacturer of the BCX42E6327. It is a leading semiconductor company that focuses on power and sensing solutions. Infineon supplies a wide range of products for various industries, including automotive, industrial, and consumer electronics. -
Application Field
The BCX42E6327 is commonly used in applications such as temperature sensing, power management, and motor control due to its high voltage capability and fast switching speed. It is also utilized in telecommunications, medical equipment, and lighting systems for its versatile performance characteristics. -
Package
The BCX42E6327 chip is a surface mount SOT-223 package type with a NPN transistor form. The size of the chip is 6.5mm x 3.6mm x 1.8mm.
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