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$5000ZVN2106G
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
Marcas: Diodes Incorporated
Parte do fabricante #: ZVN2106G
Ficha de dados: ZVN2106G Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: TO-261-4,TO-261AA
Status RoHS:
Condição de estoque: 6.373 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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ZVN2106G Descrição geral
N-Channel 60 V 710mA (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223-3
Características
- 60 Volt VDS
- RDS(on) =2Ω
Especificações
Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
---|---|---|---|
Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 710mA (Ta) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 1A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 1mA |
Vgs (Max) | ±20V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 75 pF @ 18 V |
Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | SOT-223-3 |
Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
Envio
Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
---|---|---|---|
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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Embalagem
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Etapa1 :produtos
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
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Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The ZVN2106G is a low threshold, enhancement mode N-channel MOSFET transistor designed for use in analog and switching applications. It has a maximum drain-source voltage of 60V and a drain current of 350mA, making it suitable for low power applications. This chip is commonly used in voltage regulation, signal amplification, and motor control circuits.
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Equivalent
Some equivalent products of the ZVN2106G chip include the BSS138, IRF510, and IRF540 MOSFETs. These chips have similar specifications and can be used interchangeably in various electronic circuits. -
Features
ZVN2106G is a 60V P-channel enhancement mode vertical DMOS FET. It has low on-resistance, fast switching speed, low gate threshold voltage, and high input impedance. It is suitable for general-purpose switching applications and low-power amplifier designs. -
Pinout
ZVN2106G is a N-channel enhancement mode vertical DMOS FET transistor with a TO-92 package. It has 3 pins: gate (G), drain (D), and source (S). The gate pin controls the flow of current between the drain and source pins. -
Manufacturer
The manufacturer of ZVN2106G is Diodes Incorporated. It is a global semiconductor company that designs, manufactures, and supplies high-quality discrete and analog semiconductor products for a wide range of applications in the automotive, industrial, and consumer markets. -
Application Field
The ZVN2106G is commonly used in applications such as switching and amplification in audio circuits, battery chargers, power management circuits, and LED drivers. It is also used in motor control applications, voltage regulators, and voltage level shifting circuits. -
Package
The ZVN2106G chip is packaged in a TO-92 form, which is a small, plastic, through-hole package. It has a size of approximately 5.2mm x 4.5mm x 2.3mm.
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