ST STP11NM60FD
N-channel MOSFET with 600V voltage rating and 11A current rating in TO-220 package
Marcas: Stmicroelectronics
Parte do fabricante #: STP11NM60FD
Ficha de dados: STP11NM60FD Datasheet (PDF)
Pacote/Caso: TO-220-3
Tipo de Produto: Transistores
Status RoHS:
Condição de estoque: 3889 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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Adicionar à lista técnicaSTP11NM60FD Descrição geral
The STP11NM60FD is a Power MOSFET transistor manufactured by STMicroelectronics. It is designed for high-voltage applications and features a drain-source voltage (VDS) of 600V, a continuous drain current (ID) of 11A, and a low on-resistance (RDS(on)) of 0.38 ohms.This MOSFET transistor is housed in a TO-220 package and is suitable for use in a wide range of power supply, motor control, and lighting applications. It offers high efficiency and reliability due to its low on-resistance, enabling it to handle large currents while minimizing power losses and heat dissipation.The STP11NM60FD also features a fast switching speed and a low gate charge, making it ideal for high-frequency switching applications. It has a gate threshold voltage (VGS(th)) of 2-4V and a maximum gate-source voltage (VGS) of ±20V.
Características
- 600V VDS power MOSFET
- Low on-resistance (0.31 ohm typ.)
- Fast switching speed
- Low gate charge
- Ultra low gate charge (28nC)
- High avalanche ruggedness
- Suitable for high power applications
- Can be used in power supplies and motor control
- TO-220 packaging
Aplicativo
- Power supplies
- Motor control
- Lighting
- Industrial automation
- Solar inverters
- Uninterruptible power supplies (UPS)
- Electric vehicles (EV)
- Home appliances
Especificações
Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
---|---|---|---|
Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
Technology | Si | Mounting Style | Through Hole |
Package / Case | TO-220-3 | Transistor Polarity | N-Channel |
Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V |
Id - Continuous Drain Current | 11 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 400 mOhms |
Vgs - Gate-Source Voltage | - 30 V, + 30 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V |
Qg - Gate Charge | 40 nC | Minimum Operating Temperature | - 65 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 160 W |
Channel Mode | Enhancement | Series | STP11NM60FD |
Brand | STMicroelectronics | Configuration | Single |
Fall Time | 15 ns | Forward Transconductance - Min | 5.2 S |
Height | 9.15 mm | Length | 10.4 mm |
Product Type | MOSFET | Rise Time | 16 ns |
Factory Pack Quantity | 1000 | Subcategory | MOSFETs |
Transistor Type | 1 N-Channel | Type | MOSFET |
Typical Turn-On Delay Time | 20 ns | Width | 4.6 mm |
Unit Weight | 0.068784 oz |
Envio
Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
---|---|---|---|
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
Termos de pagamento | Taxa de mão | |
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Embalagem
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Etapa1 :produtos
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
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Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Peças Equivalentes
Para o STP11NM60FD componente, você pode considerar essas peças de reposição e alternativas:
Número da peça
Marcas
Pacote
Descrição
Número da peça : IRF7314
Marcas : Infineon
Pacote :
Descrição :
Número da peça : IPP11N06S2L-11
Marcas : Nexperia
Pacote :
Descrição :
Número da peça : FQPF11N60C
Marcas :
Pacote :
Descrição : by Fairchild Semiconductor
Número da peça : AOB11N60
Marcas :
Pacote :
Descrição : by Alpha and Omega Semiconductor
Part points
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The STP11NM60FD is a power MOSFET chip produced by STMicroelectronics. It is designed for high power applications, such as motor control and power supplies. With a maximum drain current of 11A and a breakdown voltage of 600V, it offers efficient power switching capabilities. The chip features low on-resistance and gate charge, allowing for minimal power losses and improved efficiency.
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Equivalent
Some equivalent products of the STP11NM60FD chip include IRFP260N, IRFP460N, IRF1404, and IRFB4110. -
Features
The features of STP11NM60FD include a drain-source voltage of 600V, a continuous drain current of 11A, a low on-resistance of 0.65 ohms, a gate threshold voltage of 3V, a power dissipation of 68W, and a TO-220 full pack package. -
Pinout
The STP11NM60FD is a MOSFET transistor. It has a pin count of 3, which include the gate (G), drain (D), and source (S). The functions of these pins are as follows: the gate controls the flow of current between the drain and source, the drain terminal allows current to flow in or out of the transistor, and the source is connected to the reference point for the current flow. -
Manufacturer
STP11NM60FD is manufactured by STMicroelectronics, a multinational electronics and semiconductor company. It is one of the world's largest semiconductor chip manufacturers, with a focus on providing a wide range of integrated circuits and solutions for various industries, including automotive, industrial, personal electronics, and more. -
Application Field
The STP11NM60FD is a high voltage N-channel Power MOSFET used in applications such as switch mode power supplies, lighting, motor control, and electric vehicle systems. It offers low on-resistance, high current capability, and reliable operation in high temperature environments. -
Package
The STP11NM60FD chip is available in a TO-220 package type. It has a standard form and size as per the TO-220 package, which measures approximately 10.16 mm x 15.74 mm x 4.32 mm.
Ficha de dados PDF
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