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Infineon IRLS3036PBF
IRLS3036PBF is a N-CHANNEL Silicon Power MOSFET with a low on-state resistance of 0.0024 ohm
Marcas: Infineon
Parte do fabricante #: IRLS3036PBF
Ficha de dados: IRLS3036PBF Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: TO-252-3
Status RoHS:
Condição de estoque: 9.458 peças, novo original
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Preço Externo |
|---|---|---|
| 1 | $2,218 | $2,218 |
| 200 | $0,858 | $171,600 |
| 500 | $0,829 | $414,500 |
| 1000 | $0,813 | $813,000 |
Em estoque: 9.458 PCS
IRLS3036PBF Descrição geral
N-Channel 60 V 195A (Tc) 380W (Tc) Surface Mount D2PAK
Características
- Avalanche Rugged Technology
- Rugged Gate Oxide Technology
- Lower Input Capacitance
- Improved Gate Charge
- Extended Safe Operating Area
- Lower Leakage Current : 10 μA (Max.) @ VDS = 100V
- Lower RDS(ON) : 0.176Ω (Typ.)
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | Infineon | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | TO-252-3 |
| Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V | Id - Continuous Drain Current: | 270 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.8 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 16 V, + 16 V |
| Qg - Gate Charge: | 91 nC | Pd - Power Dissipation: | 380 W |
| Packaging: | Tube | Brand: | Infineon Technologies |
| Configuration: | Single | Height: | 2.3 mm |
| Length: | 6.5 mm | Product Type: | MOSFET |
| Factory Pack Quantity: | 1000 | Subcategory: | MOSFETs |
| Transistor Type: | 1 N-Channel | Width: | 6.22 mm |
| Part # Aliases: | SP001552894 |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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Part points
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The IRLS3036PBF is a power MOSFET designed for high efficiency, low voltage applications. It has a low on-resistance and high current capability, making it ideal for use in power management circuits in various electronic devices. The chip is compact and easy to integrate into circuit designs, providing reliable performance and efficient power handling.
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Equivalent
Equivalent products of IRLS3036PBF include IRFZ44N, IRL540NPBF, IRLB8748PBF, and IRF3205. These MOSFET transistors are all suitable replacements for the IRLS3036PBF chip and can be used in similar applications such as power supplies, motor controls, and LED lighting. -
Features
1. N-Channel Power MOSFET 2. Ideal for low voltage applications 3. Available in TO-263 package 4. Low on-state resistance (0.048 ohms) 5. High current capacity (75A) 6. Low gate charge for efficiency 7. Suitable for switching applications in power supplies and motor control circuits. -
Pinout
The IRLS3036PBF is a power MOSFET transistor with four pins: Gate, Drain, Source, and Body. The function of this transistor is to switch high-power loads in various electronic circuits, especially in power supply and motor control applications. -
Manufacturer
The IRLS3036PBF is manufactured by Infineon Technologies. Infineon is a German semiconductor manufacturer specializing in power semiconductors, sensor systems, and security systems. They provide solutions for automotive, industrial, and consumer electronics, as well as renewable energy applications. Their products are used in a wide range of industries including automotive, industrial, and communications. -
Application Field
The IRLS3036PBF is commonly used in power management applications such as DC-DC converters, motor control, and LED lighting. It can also be found in industrial automation, solar inverters, and battery management systems. With its high efficiency and low on-resistance, it is ideal for high power applications requiring high-speed switching capabilities. -
Package
The IRLS3036PBF chip comes in a TO-263 package, which is also known as D2PAK. It is a surface-mount packaging with three leads and a tab for heat dissipation. The chip has a form factor of a power MOSFET and typically measures around 10mm x 10mm in size.
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