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Infineon IRGP4750DPBF
The IRGP4750DPBF: An advanced semiconductor component comprising an N-channel IGBT Chip engineered for power circuitry
Marcas: Infineon
Parte do fabricante #: IRGP4750DPBF
Ficha de dados: IRGP4750DPBF Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: TO-247AC-3
Status RoHS:
Condição de estoque: 9.458 peças, novo original
Tipo de Produto: Single IGBTs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Preço Externo |
|---|---|---|
| 1 | $10,396 | $10,396 |
| 200 | $4,023 | $804,600 |
| 500 | $3,883 | $1941,500 |
| 1000 | $3,813 | $3813,000 |
Em estoque: 9.458 PCS
IRGP4750DPBF Descrição geral
The IRGP4750DPBF is a single IGBT with a high collector current rating of 70A, making it suitable for applications requiring high power handling capabilities. Its low collector emitter saturation voltage of 1.7V ensures efficient power conversion, while the high collector emitter voltage of 650V provides a wide margin of safety in high-voltage applications. The TO-247AC transistor case style allows for easy mounting and heat dissipation, further enhancing the reliability of the device in rugged operating conditions
Características
- Low VCE(ON) and Switching Losses
- 5.5µs Short Circuit SOA
- Square RBSOA
- Maximum Junction Temperature 175°C
- Positive VCE (ON) Temperature Coefficient
- Lead-Free, RoHs compliant
- Benefits
- High Efficiency in a Wide Range of Applications
- Increased Reliability
- Excellent Current Sharing in Parallel Operation
- Rugged Transient Performance
- Environmentally friendly
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | Infineon | Product Category: | IGBT Transistors |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Package / Case: | TO-247AC-3 | Mounting Style: | Through Hole |
| Configuration: | Single | Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.7 V | Maximum Gate Emitter Voltage: | - 20 V, 20 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 70 A | Pd - Power Dissipation: | 273 W |
| Minimum Operating Temperature: | - 40 C | Maximum Operating Temperature: | + 175 C |
| Series: | TRENCHSTOP | Packaging: | Tube |
| Brand: | Infineon Technologies | Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
| Height: | 20.7 mm | Length: | 15.87 mm |
| Product Type: | IGBT Transistors | Factory Pack Quantity: | 25 |
| Subcategory: | IGBTs | Tradename: | TRENCHSTOP |
| Width: | 5.31 mm | Part # Aliases: | SP001546176 |
| Unit Weight: | 0.015027 oz |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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