Esse website utiliza cookies. Ao utilizar este site, você concorda com o uso de cookies. Para mais informações, por favor dê uma olhada em nosso política de Privacidade.

Pedidos acima de

$5000
ganham $50 um desconto!

IRFR4510TRPBF 48HRS

N-Channel 100 V 56A (Tc) 143W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marcas: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Parte do fabricante #: IRFR4510TRPBF

Ficha de dados: IRFR4510TRPBF Ficha de dados (PDF)

Pacote/Caso: TO-252-3

Status RoHS:

Condição de estoque: 7.759 peças, novo original

Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Preços

*Todos os preços estão em USD

Quantidade Preço unitário Preço Externo
1 $1,181 $1,181
10 $1,020 $10,200
30 $0,931 $27,930
100 $0,831 $83,100
500 $0,655 $327,500
1000 $0,635 $635,000

Em estoque: 7.759 PCS

- +

Rápida citação

Por favor, envie uma RFQ para IRFR4510TRPBF ou e-mail para nós: E-mail: [email protected], entraremos em contato com você dentro de 12 horas.

IRFR4510TRPBF Descrição geral

The IRFR4510TRPBF is a high-performing Power Field-Effect Transistor with a current rating of 56A and a voltage rating of 100V. Its low on-resistance of 0.0139ohm makes it suitable for high-power applications where efficiency is key. This N-Channel transistor is built with Silicon Metal-Oxide Semiconductor FET technology, ensuring reliable performance

IRFR4510TRPBF

Características

  • 1.5A, 500V
  • rDS(ON) = 7.000Ω
  • Single Pulse Avalanche Energy Rated
  • SOA is Power Dissipation Limited
  • Nanosecond Switching Speeds
  • High Input Impedance
  • 150oC Operating Temperature
  • Related Literature
  • - TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount Components to PC Boards”

Aplicativo

SWITCHING

Especificações

Parâmetro Valor Parâmetro Valor
Source Content uid IRFR4510TRPBF Rohs Code Yes
Part Life Cycle Code Active Ihs Manufacturer INFINEON TECHNOLOGIES AG
Reach Compliance Code not_compliant ECCN Code EAR99
Factory Lead Time 52 Weeks Samacsys Manufacturer Infineon
Avalanche Energy Rating (Eas) 127 mJ Case Connection DRAIN
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE DS Breakdown Voltage-Min 100 V
Drain Current-Max (ID) 56 A Drain-source On Resistance-Max 0.0139 Ω
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR JEDEC-95 Code TO-252AA
JESD-30 Code R-PSSO-G2 JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level 1 Number of Elements 1
Number of Terminals 2 Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 175 °C Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR Package Style SMALL OUTLINE
Peak Reflow Temperature (Cel) 260 Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 143 W Pulsed Drain Current-Max (IDM) 252 A
Surface Mount YES Terminal Finish MATTE TIN OVER NICKEL
Terminal Form GULL WING Terminal Position SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 30 Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON

Envio

Tipo de envio Taxa de envio Tempo de espera
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
CORREIO AÉREO REGISTADO CORREIO AÉREO REGISTADO $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias

Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.

Pagamento

Termos de pagamento Taxa de mão
Transferência bancária Transferência bancária cobrar taxa bancária de US$ 30,00.
PayPal PayPal cobrar taxa de serviço de 4,0%.
Cartão de crédito Cartão de crédito cobrar taxa de serviço de 3,5%.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Grama de dinheiro Grama de dinheiro cobrar taxa bancária de US$ 0,00.

Garantias

1.Os componentes eletrônicos que você compra incluem garantia de 365 dias, garantimos a qualidade do produto.

2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.

Embalagem

  • produtos

    Etapa1 :produtos

  • Embalagem a vácuo

    Etapa2 :Embalagem a vácuo

  • Saco antiestático

    Etapa3 :Saco antiestático

  • Embalagem individual

    Etapa4 :Embalagem individual

  • Caixas de embalagem

    Etapa5 :Caixas de embalagem

  • etiqueta de envio com código de barras

    Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras

Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.

Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.

Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.

Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.

  • ESD
  • ESD

Part points

  • The IRFR4510TRPBF is a power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) designed for high-performance applications. It offers low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power management in various electronic devices like motor controls, DC-DC converters, and voltage regulators. With its compact size and efficient design, it contributes to improved performance and energy efficiency in electronic circuits.
  • Equivalent

    Equivalent products to the IRFR4510TRPBF chip include the IRF4905PBF, IRF3205PBF, and IRF2807PBF. These MOSFETs have similar specifications and can be suitable replacements depending on the specific application requirements.
  • Features

    The IRFR4510TRPBF is a power MOSFET transistor. Its features include a drain-source voltage (VDS) of 100V, continuous drain current (ID) of 26A, low on-resistance (RDS(on)), and a TO-252 package. It's commonly used in power management applications like voltage regulators and motor control circuits.
  • Pinout

    The IRFR4510TRPBF is a MOSFET transistor with a pin count of 3. Pin 1 is the gate, pin 2 is the drain, and pin 3 is the source. It's typically used in power management applications due to its high current handling capabilities and low on-state resistance.
  • Manufacturer

    The IRFR4510TRPBF is manufactured by International Rectifier, which is an American semiconductor company specializing in power management technology. It develops and manufactures power semiconductor devices, including MOSFETs, IGBTs, and other power ICs.
  • Application Field

    The IRFR4510TRPBF is typically used in power management applications, such as motor control, DC-DC converters, and high-frequency circuits. It's particularly suited for applications requiring high-speed switching and low on-resistance.
  • Package

    The IRFR4510TRPBF is a surface mount, MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) chip. It comes in a TO-252AA package, also known as DPAK (Plastic-Encapsulated Device Package). The dimensions typically measure approximately 6.6mm x 6.1mm x 2.3mm.

Oferecemos produtos de alta qualidade, serviço atencioso e garantia pós-venda

  • produtos

    Temos produtos ricos que podem atender às suas diversas necessidades.

  • quantity

    A quantidade mínima de pedido começa em 1 unidade.

  • shipping

    A menor taxa de envio internacional começa em US$ 0,00

  • garantia

    365 dias de garantia de qualidade para todos os produtos

Avaliações e comentários

Avaliações
Por favor, avalie o produto!
Por favor insira um comentário

Envie comentários após fazer login em sua conta.

Enviar

Recomendar

  • CSD18541F5

    CSD18541F5

    TI

    N-Channel 60 V 2.2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ...

  • CSD18543Q3AT

    CSD18543Q3AT

    Ti

    60V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF

  • SN75468DR

    SN75468DR

    TI

    Darlington Transistors Hi Vltg Darlington Transist...

  • STD10NF10T4

    STD10NF10T4

    Stmicroelectronics

    DPAK packaged N-channel Power MOSFET featuring 0.1...

  • STP40NF20

    STP40NF20

    STMicroelectronics, Inc

    N-Channel 200 V 40A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO...

  • STB55NF06T4

    STB55NF06T4

    Stmicroelectronics

    MOSFET N-channel with a voltage rating of 60V and ...