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$5000Infineon IRFB23N20DPBF
N-Channel 200 V 24A (Tc) 3.8W (Ta), 170W (Tc) Through Hole TO-220AB
Marcas: Infineon Technologies Corporation
Parte do fabricante #: IRFB23N20DPBF
Ficha de dados: IRFB23N20DPBF Datasheet (PDF)
Pacote/Caso: TO-220AB
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Status RoHS:
Condição de estoque: 2.812 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IRFB23N20DPBF Descrição geral
N-Channel 200 V 24A (Tc) 3.8W (Ta), 170W (Tc) Through Hole TO-220AB
Características
- RoHS Compliant
- Industry-leading quality
- Fully Characterized Avalanche Voltage and Current
- Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses
- Fully Characterized Capacitance Including Effective Coss to Simplify Design
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| RHoS | yes | PBFree | yes |
| HalogenFree | yes | Manufacturer: | Infineon |
| Product Category: | MOSFET | RoHS: | Details |
| Technology: | Si | Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-220-3 | Transistor Polarity: | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 200 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 24 A | Rds On - Drain-Source Resistance: | 100 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | - 30 V, + 30 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5.5 V |
| Qg - Gate Charge: | 57 nC | Minimum Operating Temperature: | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature: | + 175 C | Pd - Power Dissipation: | 170 W |
| Channel Mode: | Enhancement | Packaging: | Tube |
| Brand: | Infineon Technologies | Configuration: | Single |
| Fall Time: | 16 ns | Forward Transconductance - Min: | 13 S |
| Height: | 15.65 mm | Length: | 10 mm |
| Product Type: | MOSFET | Rise Time: | 32 ns |
| Factory Pack Quantity: | 1000 | Subcategory: | MOSFETs |
| Transistor Type: | 1 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time: | 26 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 14 ns | Width: | 4.4 mm |
| Unit Weight: | 0.068784 oz |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
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Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
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PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
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Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
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 |
Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
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Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The IRFB23N20DPBF is a power MOSFET chip designed for high-speed switching and efficient power management applications. It has a drain-source voltage rating of 200V, a continuous drain current of 50A, and low on-resistance for improved performance. The chip utilizes advanced technology and features a compact design, making it suitable for various industrial and automotive applications.
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Equivalent
Some equivalent products of the IRFB23N20DPBF chip include IRF1010E, IRF540N, IRF3205, and IRFB3077. -
Features
The IRFB23N20DPBF is a power MOSFET transistor designed for high-performance switching applications. It features a low on-resistance, high current capability, and fast switching speed. It also has a built-in body diode for efficient freewheeling operation in inductive loads. -
Pinout
The IRFB23N20DPBF is a 3-pin power MOSFET. The pin count includes the gate (G), drain (D), and source (S). Its function is to control the flow of current between the drain and source terminals by the gate voltage, making it suitable for various switching applications. -
Manufacturer
The manufacturer of the IRFB23N20DPBF is International Rectifier, which is a semiconductor company specializing in the design and production of power management technology. -
Application Field
The IRFB23N20DPBF is a power MOSFET typically used in applications such as motor control, power supply, and inverter circuits. -
Package
The IRFB23N20DPBF chip is in a TO-220AB package type, with a through-hole form. The package size measures approximately 10.6mm x 9.35mm x 4.57mm.
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