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Infineon IRF5803TRPBF 48HRS

HEXFET® Power MOSFET designed as a single P-Channel device

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marcas: Infineon Technologies Corporation

Parte do fabricante #: IRF5803TRPBF

Ficha de dados: IRF5803TRPBF Datasheet (PDF)

Pacote/Caso: TSOP-6

Status RoHS:

Condição de estoque: 3.871 peças, novo original

Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Preços

*Todos os preços estão em USD

Quantidade Preço unitário Preço Externo
5 $0,337 $1,685
50 $0,280 $14,000
150 $0,255 $38,250
500 $0,225 $112,500
3000 $0,165 $495,000
6000 $0,156 $936,000

Em estoque: 3.871 PCS

- +

Rápida citação

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IRF5803TRPBF Descrição geral

Meet the IRF5803TRPBF, a p-channel transistor suitable for various electronic applications. With a drain-source voltage (Vds) of 40V and a continuous drain current (Id) of 3.4A, this transistor offers reliable performance. The on resistance (Rds(On)) of 0.112Ohm ensures efficient power management, while its surface mount mounting adds convenience to the installation process. Additionally, the Rds(On) test voltage (Vgs) and threshold voltage (Vgs) are 10V and 3V, respectively. As a bonus, this product is RoHS compliant, reflecting its commitment to environmental responsibility

Características

  • Compact device footprint
  • High density storage
  • Limited power dissipation
  • Elevated reliability standards
  • Simplified system integration
  • Reduced electromagnetic interference

Aplicativo

  • Electronic devices
  • Power supplies
  • Battery chargers

Especificações

Parâmetro Valor Parâmetro Valor
RHoS yes PBFree yes
HalogenFree yes Manufacturer: Infineon
Product Category: MOSFET RoHS: Details
Technology: Si Mounting Style: SMD/SMT
Package / Case: TSOP-6 Transistor Polarity: P-Channel
Number of Channels: 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 40 V
Id - Continuous Drain Current: 3.4 A Rds On - Drain-Source Resistance: 190 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, + 20 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2 V
Qg - Gate Charge: 25 nC Minimum Operating Temperature: - 55 C
Maximum Operating Temperature: + 150 C Pd - Power Dissipation: 1.3 W
Channel Mode: Enhancement Packaging: MouseReel
Brand: Infineon Technologies Configuration: Single
Height: 1.1 mm Length: 3 mm
Product Type: MOSFET Factory Pack Quantity: 3000
Subcategory: MOSFETs Transistor Type: 1 P-Channel
Width: 1.5 mm

Envio

Tipo de envio Taxa de envio Tempo de espera
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
CORREIO AÉREO REGISTADO CORREIO AÉREO REGISTADO $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias

Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.

Pagamento

Termos de pagamento Taxa de mão
Transferência bancária Transferência bancária cobrar taxa bancária de US$ 30,00.
PayPal PayPal cobrar taxa de serviço de 4,0%.
Cartão de crédito Cartão de crédito cobrar taxa de serviço de 3,5%.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Grama de dinheiro Grama de dinheiro cobrar taxa bancária de US$ 0,00.

Garantias

1.Os componentes eletrônicos que você compra incluem garantia de 365 dias, garantimos a qualidade do produto.

2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.

Embalagem

  • produtos

    Etapa1 :produtos

  • Embalagem a vácuo

    Etapa2 :Embalagem a vácuo

  • Saco antiestático

    Etapa3 :Saco antiestático

  • Embalagem individual

    Etapa4 :Embalagem individual

  • Caixas de embalagem

    Etapa5 :Caixas de embalagem

  • etiqueta de envio com código de barras

    Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras

Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.

Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.

Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.

Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.

  • ESD
  • ESD

Part points

  • The IRF5803TRPBF is a high-efficiency MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) chip designed for power management applications. It features a low on-state resistance and fast switching speed, making it suitable for use in a variety of electronic devices such as power supplies, motor control, and DC-DC converters.
  • Equivalent

    Some equivalent products of the IRF5803TRPBF chip are IRF5803PBF, IRF5803MTRPBF, and IRF5803ZPBF. These are all N-channel MOSFETs with similar specifications and functionality.
  • Features

    The features of IRF5803TRPBF include a high power MOSFET with a low on-resistance, a continuous drain current of 42A, a low gate charge, and a fast switching speed. It also has a small form factor and is suitable for high power applications such as motor control and power supplies.
  • Pinout

    The IRF5803TRPBF is a N-channel MOSFET with a 8-pin PowerPAK SO-8 package. It is commonly used in power conversion applications. The pinout consists of Gate (G), Drain (D), and Source (S) pins, along with additional pins for the power package.
  • Manufacturer

    IRF5803TRPBF is manufactured by Infineon Technologies AG, a German semiconductor manufacturer. They specialize in producing a wide range of semiconductor products, including microcontrollers, power semiconductors, sensors, and power management ICs. Infineon Technologies AG is a global company with a reputation for high-quality products and innovative technology solutions.
  • Application Field

    IRF5803TRPBF is a power MOSFET commonly used in voltage regulation, power management, and motor control applications. It is suitable for use in DC-DC converters, voltage regulators, switching regulators, motor drives, and power supplies. This MOSFET offers high efficiency, low on-resistance, and fast switching speeds, making it ideal for various power electronics applications.
  • Package

    The IRF5803TRPBF chip comes in a surface-mount DPAK (TO-252) package. It has a form factor of a single MOSFET transistor. The package size is 6.6 mm x 9.9 mm x 4.6 mm.

Ficha de dados PDF

Especificação Preliminar IRF5803TRPBF PDF Download

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