Esse website utiliza cookies. Ao utilizar este site, você concorda com o uso de cookies. Para mais informações, por favor dê uma olhada em nosso política de Privacidade.

As imagens são apenas para referência. Consulte as especificações do produto

Pedidos acima de

$5000

ganham $50 um desconto !

Infineon IPT60R080G7XTMA1

Name: IPT60R080G7XTMA1
Brand: Infineon Technologies Corporation
Rating: 4.8 (10 reviews)

Trans MOSFET N-CH 600V 29A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

Marcas: Infineon Technologies Corporation

Parte do fabricante #: IPT60R080G7XTMA1

Ficha de dados: IPT60R080G7XTMA1 Ficha de dados (PDF)

Pacote/Caso: PG-HSOF-8

Status RoHS:

Condição de estoque: 2.538 peças, novo original

Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Preços

*Todos os preços estão em USD

Quantidade	Preço unitário	Preço Externo
1	$5,377	$5,377
10	$5,110	$51,100

Em estoque: 2.538 PCS

- +

Rápida citação

Por favor, envie uma RFQ para IPT60R080G7XTMA1 ou e-mail para nós: E-mail: [email protected], entraremos em contato com você dentro de 12 horas.

Quantidade^*

E-mail^*

Nome de contato^*

Empresa

Observação

IPT60R080G7XTMA1 Descrição geral

N-Channel 600 V 29A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-2

Características

Gives best-in-class FOM R DS(on)xE oss and R DS(on)xQ G
Enables best-in-class R DS(on) in smallest footprint
Inbuilt 4 th pin Kelvin source configuration and low parasitic source inductance (~1nH)
Is MSL1 compliant, total Pb-free, has easy visual inspection grooved leads
Enables improved thermal performance R th
Higher efficiency due to the improved C7 Gold technology and faster switching due to the package low parasitic source inductance and the 4pin Kelvin source concept
Improved power density due to low R DS(on) in small footprint, by either replacing TO-packages (height restrictions) or paralleling SMD packages due to thermal or R DS(on) requirements
Production cost reduction by moving to SMD through quicker assembly times

Aplicativo

Telecom
Server
Solar
Industrial SMPS

Especificações

Parâmetro	Valor	Parâmetro	Valor
Manufacturer:	Infineon	Product Category:	MOSFET
RoHS:	Y	Technology:	Si
Mounting Style:	SMD/SMT	Package / Case:	HSOF-8
Number of Channels:	1 Channel	Transistor Polarity:	N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	600 V	Id - Continuous Drain Current:	29 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	69 mOhms	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	3 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	30 V	Qg - Gate Charge:	42 nC
Minimum Operating Temperature:	- 55 C	Maximum Operating Temperature:	+ 150 C
Pd - Power Dissipation:	167 W	Configuration:	Single
Channel Mode:	Enhancement	Tradename:	CoolMOS
Packaging:	Reel	Series:	CoolMOS C7 Gold
Transistor Type:	1 N-Channel	Brand:	Infineon Technologies
Fall Time:	3.5 ns	Moisture Sensitive:	Yes
Product Type:	MOSFET	Rise Time:	5 ns
Factory Pack Quantity:	2000	Subcategory:	MOSFETs
Typical Turn-Off Delay Time:	61 ns	Typical Turn-On Delay Time:	19 ns
Part # Aliases:	IPT60R080G7 SP001615904	Tags	IPT60R0, IPT60, IPT6, IPT
RHoS	yes	PBFree	yes
HalogenFree	yes

Envio

	Taxa de envio	Tempo de espera
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 dias
FedEx	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 dias
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 dias
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 dias
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 dias
CORREIO AÉREO REGISTADO	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 dias

Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.

Pagamento

Termos de pagamento		Taxa de mão
	Transferência bancária	cobrar taxa bancária de US$ 30,00.
	PayPal	cobrar taxa de serviço de 4,0%.
	Cartão de crédito	cobrar taxa de serviço de 3,5%.
	Western Union	charge US.00 banking fee.
	Grama de dinheiro	cobrar taxa bancária de US$ 0,00.

Garantias

1.Os componentes eletrônicos que você compra incluem garantia de 365 dias, garantimos a qualidade do produto.

2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.

Embalagem

Etapa1 :produtos
Etapa2 :Embalagem a vácuo
Etapa3 :Saco antiestático
Etapa4 :Embalagem individual
Etapa5 :Caixas de embalagem
Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras

Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.

Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.

Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.

Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.

IPD30N10S3L-34

Infineon

IPW60R099CP

Infineon

IPW60R099C6

Infineon

IPW60R075CP

Infineon

IPW60R070C6

Infineon

IPW60R045CP

Infineon

IPW60R041C6

Infineon

IPP90R1K2C3

Infineon

MT29F2G01ABAGDWB-IT:G

Oferecemos produtos de alta qualidade, serviço atencioso e garantia pós-venda

Temos produtos ricos que podem atender às suas diversas necessidades.
A quantidade mínima de pedido começa em 1 unidade.
A menor taxa de envio internacional começa em US$ 0,00
365 dias de garantia de qualidade para todos os produtos

Avaliações e comentários

Avaliações

Por favor, avalie o produto!

Por favor insira um comentário

Envie comentários após fazer login em sua conta.

Enviar

Recomendar

IRF4905PBF

Infineon Technologies

The IRF4905PBF is a power-efficient P-channel MOSF...
IRF3710

Infineon

Power Field-Effect Transistor with 57A I(D)
IRF6619

Infineon

20V MOSFET with 2.2mΩ resistance at 30A
BUP314D

Infineon

42A I(C), 1200V V(BR)CES Insulated Gate Bipolar Tr...
BSM50GX120DN2

Infineon

Integrated Circuit Dual 4X1 16TSSOP Multiplexer
SPW47N65C3

Infineon

Discover unparalleled quality and innovation in th...