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Infineon IPT60R028G7XTMA1
High-voltage, high-current MOSFET transistor for demanding tasks
![ISO14001](/img/about/iso14001.png)
![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
Marcas: Infineon Technologies Corporation
Parte do fabricante #: IPT60R028G7XTMA1
Ficha de dados: IPT60R028G7XTMA1 Datasheet (PDF)
Pacote/Caso: PG-HSOF-8
Status RoHS:
Condição de estoque: 3.627 peças, novo original
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Todos os preços estão em USD
Quantidade | Preço unitário | Preço Externo |
---|---|---|
1 | $13,960 | $13,960 |
200 | $5,402 | $1080,400 |
500 | $5,213 | $2606,500 |
1000 | $5,119 | $5119,000 |
Em estoque: 3.627 PCS
IPT60R028G7XTMA1 Descrição geral
In the realm of high-power electronics, the IPT60R028G7XTMA1 MOSFET stands out as a superior component for demanding applications. With a N channel design, this MOSFET boasts a impressive drain source voltage of 600V and a continuous drain current of 75A, making it a reliable choice for high-power circuits. Its surface mount Hsof-8 package enables easy integration into circuit boards, ensuring efficient heat dissipation. The Rds(On) test voltage of 10V guarantees low power loss and high performance, while the gate source threshold voltage max of 4V provides precise control over the switching characteristics. Furthermore, this MOSFET is RoHS compliant, underscoring its commitment to environmentally responsible manufacturing processes
Características
- Gives best-in-class FOM R DS(on)xE oss and R DS(on)xQ G
- Enables best-in-class R DS(on) in smallest footprint
- Inbuilt 4 th pin Kelvin source configuration and low parasitic source inductance (~1nH)
- Is MSL1 compliant, total Pb-free, has easy visual inspection grooved leads
- Enables improved thermal performance R th
- Higher efficiency due to the improved C7 Gold technology and faster switching due to the package low parasitic source inductance and the 4pin Kelvin source concept
- Improved power density due to low R DS(on) in small footprint, by either replacing TO-packages (height restrictions) or paralleling SMD packages due to thermal or R DS(on) requirements
- Production cost reduction by moving to SMD through quicker assembly times
Aplicativo
- Telecom
- Server
- Solar
- Industrial SMPS
Especificações
Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
---|---|---|---|
Manufacturer: | Infineon | Product Category: | MOSFET |
RoHS: | Y | Technology: | Si |
Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | HSOF-8 |
Number of Channels: | 1 Channel | Transistor Polarity: | N-Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V | Id - Continuous Drain Current: | 75 A |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 28 mOhms | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | 20 V | Qg - Gate Charge: | 123 nC |
Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
Pd - Power Dissipation: | 391 W | Configuration: | Single |
Channel Mode: | Enhancement | Packaging: | Reel |
Series: | CoolMOS G7 | Brand: | Infineon Technologies |
Fall Time: | 2.8 ns | Product Type: | MOSFET |
Rise Time: | 9 ns | Factory Pack Quantity: | 2000 |
Subcategory: | MOSFETs | Typical Turn-Off Delay Time: | 100 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 28 ns | Part # Aliases: | IPT60R028G7 SP001579312 |
Tags | IPT60R028, IPT60R02, IPT60R0, IPT60, IPT6, IPT | RHoS | yes |
PBFree | yes |
Envio
Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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Termos de pagamento | Taxa de mão | |
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Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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