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$5000Infineon IPT111N20NFDATMA1
MOSFETs Tape and Reel Differentiated
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![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
Marcas: Infineon Technologies Corporation
Parte do fabricante #: IPT111N20NFDATMA1
Ficha de dados: IPT111N20NFDATMA1 Datasheet (PDF)
Pacote/Caso: PG-HSOF-8
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Status RoHS:
Condição de estoque: 3.844 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IPT111N20NFDATMA1 Descrição geral
The IPT111N20NFDATMA1 power MOSFET from Infineon is the ideal choice for automotive applications requiring high performance and reliability. With a voltage rating of 200V and a continuous drain current of 111A, this MOSFET can handle a variety of power requirements in automotive systems such as power steering and electric vehicle applications. Its low on-state resistance of 1.2mΩ ensures efficient power delivery and minimal heat generation, making it a cost-effective solution for automotive power management
Características
- Industry‘s lowest R DS(on)
- Highest current capability >480A
- Very low package parasitics and inductances
- Less paralleling and cooling required
- Highest system reliability
- System cost reduction
- Enabling very compact design
Aplicativo
- Point-of-load (POL)
- Telecom
- efuse
Especificações
Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
---|---|---|---|
Manufacturer: | Infineon | Product Category: | MOSFET |
RoHS: | Y | Technology: | Si |
Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | PG-HSOF-8 |
Number of Channels: | 1 Channel | Transistor Polarity: | N-Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 200 V | Id - Continuous Drain Current: | 96 A |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 11.1 mOhms | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | 10 V | Qg - Gate Charge: | 65 nC |
Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 175 C |
Pd - Power Dissipation: | 375 W | Configuration: | Single |
Channel Mode: | Enhancement | Tradename: | OptiMOS |
Packaging: | Reel | Series: | OptiMOS Fast Diode |
Transistor Type: | 1 N-Channel | Brand: | Infineon Technologies |
Forward Transconductance - Min: | 82 S | Fall Time: | 13 ns |
Product Type: | MOSFET | Rise Time: | 11 ns |
Factory Pack Quantity: | 2000 | Subcategory: | MOSFETs |
Typical Turn-Off Delay Time: | 39 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 13 ns |
Part # Aliases: | IPT111N20NFD SP001340384 | Unit Weight: | 0.002293 oz |
Tags | IPT1, IPT | RHoS | yes |
PBFree | yes |
Envio
Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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Pagamento
Termos de pagamento | Taxa de mão | |
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Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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The selection of components was lacking, but the quality was decent.