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$5000
Infineon IPG20N06S2L-35
Transistor with N-channel design for use in automotive circuits with high voltage and current requirements
Marcas: Infineon Technologies Corporation
Parte do fabricante #: IPG20N06S2L-35
Ficha de dados: IPG20N06S2L-35 Datasheet (PDF)
Pacote/Caso: TDSON-8
Status RoHS:
Condição de estoque: 2.651 peças, novo original
Tipo de Produto: FET, MOSFET Arrays
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Preço Externo |
|---|---|---|
| 1 | $1,730 | $1,730 |
| 10 | $1,489 | $14,890 |
| 30 | $1,337 | $40,110 |
| 100 | $1,181 | $118,100 |
| 500 | $1,111 | $555,500 |
| 1000 | $1,082 | $1082,000 |
Em estoque: 2.651 PCS
IPG20N06S2L-35 Descrição geral
Mosfet Array 55V 20A 65W Surface Mount PG-TDSON-8-4
Características
- Drain-Source voltage rating of 60V
- Continuous Drain Current of 20A
- Low on-state resistance (0.035ohm)
- Fast switching speed
- RoHS compliant
Aplicativo
- IRF3710ZPBF
- FDP33N25
- STP20NM60FP
- FDP20N60NZ
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Source Content uid | IPG20N06S2L-35 | Pbfree Code | Yes |
| Rohs Code | Yes | Part Life Cycle Code | Active |
| Ihs Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES AG | Package Description | GREEN, PLASTIC, TDSON-8 |
| Pin Count | 8 | Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN Code | EAR99 | Samacsys Manufacturer | Infineon |
| Additional Feature | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | Avalanche Energy Rating (Eas) | 100 mJ |
| Case Connection | DRAIN | Configuration | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| DS Breakdown Voltage-Min | 55 V | Drain Current-Max (ID) | 20 A |
| Drain-source On Resistance-Max | 0.035 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 Code | R-PDSO-F8 | JESD-609 Code | e3 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 | Number of Elements | 2 |
| Number of Terminals | 8 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
| Operating Temperature-Max | 175 °C | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | SMALL OUTLINE |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
| Power Dissipation-Max (Abs) | 65 W | Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 80 A |
| Qualification Status | Not Qualified | Surface Mount | YES |
| Terminal Finish | TIN | Terminal Form | FLAT |
| Terminal Position | DUAL |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
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PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
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Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa1 :produtos
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
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Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The IPG20N06S2L-35 is a power MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) chip commonly used in electronic devices for switching and amplifying signals. It offers low ON-resistance and high switching speed, making it efficient for various applications like power supplies, motor control, and LED lighting.
-
Equivalent
The IPG20N06S2L-35 is a MOSFET transistor. Equivalent products include IRF3709ZS, IRF3709ZSPBF, and IPP60R190P6. These options share similar specifications and can be used interchangeably in various applications. -
Features
1. N-channel enhancement mode power MOSFET 2. Low on-resistance of 20mΩ 3. High current rating of 52A 4. Low gate charge of 20nC 5. Suitable for a wide range of applications including power supplies, motor controls, and switching circuits -
Pinout
The IPG20N06S2L-35 is a power MOSFET with 8 pins. Its functions include serving as a switch in electronic circuits, regulating power flow, and controlling electrical loads. -
Manufacturer
Infineon Technologies manufactures the IPG20N06S2L-35. It's a German semiconductor company specializing in power management, sensor solutions, and automotive electronics. Infineon is a key player in various industries, including automotive, industrial, and consumer electronics. -
Application Field
The IPG20N06S2L-35 is commonly used in applications such as power supplies, motor control, solar inverters, uninterruptible power supplies (UPS), and battery management systems. It is also suitable for use in electronic devices, electric vehicles, and industrial automation equipment. -
Package
The IPG20N06S2L-35 is a MOSFET transistor packaged in a TO-220 form factor. Its dimensions are approximately 10.4mm x 15.8mm x 4.6mm.
Ficha de dados PDF
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