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$5000Infineon IPC100N04S5-1R2
Advanced MOSFET technology for reliable performance and longevit
Marcas: Infineon Technologies Corporation
Parte do fabricante #: IPC100N04S5-1R2
Ficha de dados: IPC100N04S5-1R2 Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: TDSON-8
Status RoHS:
Condição de estoque: 2.449 peças, novo original
Tipo de Produto: FET, MOSFET Arrays
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Todos os preços estão em USD
Quantidade | Preço unitário | Preço Externo |
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1 | $2,898 | $2,898 |
10 | $2,545 | $25,450 |
30 | $2,334 | $70,020 |
100 | $2,122 | $212,200 |
500 | $2,023 | $1011,500 |
1000 | $1,980 | $1980,000 |
Em estoque: 2.449 PCS
A Ovaga possui um grande estoque de IPC100N04S5-1R2 FET, MOSFET Arrays de Infineon Technologies Corporation e garantimos que são peças originais e novas, provenientes diretamente de Infineon Technologies Corporation Podemos fornecer relatórios de testes de qualidade para IPC100N04S5-1R2 a seu pedido. Para obter um orçamento, basta preencher a quantidade necessária, nome de contato e endereço de e-mail no formulário de orçamento rápido à direita. Nosso representante de vendas entrará em contato com você dentro de 12 horas.
Especificações
Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
---|---|---|---|
Rohs Code | Yes | Part Life Cycle Code | Active |
Ihs Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES AG | Package Description | TDSON-8, 8 PIN |
Reach Compliance Code | not_compliant | ECCN Code | EAR99 |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 480 mJ | Case Connection | DRAIN |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 40 V |
Drain Current-Max (ID) | 100 A | Drain-source On Resistance-Max | 0.0014 Ω |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 Code | R-PDSO-F8 |
JESD-609 Code | e3 | Moisture Sensitivity Level | 1 |
Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 8 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | SMALL OUTLINE |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 400 A |
Reference Standard | AEC-Q101 | Surface Mount | YES |
Terminal Finish | TIN | Terminal Form | FLAT |
Terminal Position | DUAL | Transistor Element Material | SILICON |
RthJC max | 1.0 K/W | Ptot max | 150.0 W |
IDpuls max | 400.0 A | Qualification | Automotive |
Package | single SS08 (PG-TDSON-8) | VDS max | 40.0 V |
VGS(th) min | 2.2 V | VGS(th) max | 3.4 V |
RDS (on) max | 1.2 mΩ | QG max | 99.0 nC |
Polarity | N | ID max | 100.0 A |
Technology | OptiMOS™-5 | Operating Temperature max | 175.0 °C |
Operating Temperature min | -55.0 °C |
Envio
Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
Termos de pagamento | Taxa de mão | |
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Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. | |
PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. | |
Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. | |
Western Union | charge US.00 banking fee. | |
Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa1 :produtos
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The IPC100N04S5-1R2 is a power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) chip designed for use in high-power applications. It has a low on-resistance of 5mΩ and a maximum drain current of 100A. This chip is ideal for use in power management, motor control, and other high-current applications.
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Equivalent
The equivalent products of the IPC100N04S5-1R2 chip are the Infineon IPT004N03L MOSFET and the STMicroelectronics STN3PF06L N-channel MOSFET. These chips have similar specifications such as a 100V voltage rating and a 4A continuous drain current. -
Features
The IPC100N04S5-1R2 is a MOSFET transistor with a Vdss of 40V, Id of 100A, Rds(on) of 1.2mΩ, and a power dissipation of 260W. It has a compact SMD package suitable for high-power applications. It is designed for use in automotive and industrial applications where high efficiency and reliability are essential. -
Pinout
The IPC100N04S5-1R2 has a pin count of 3 and is a N-channel MOSFET transistor. It is used for switching and amplifying electronic signals in various power applications such as motor control, lighting, and power supplies. -
Manufacturer
IPC100N04S5-1R2 is manufactured by Infineon Technologies AG, a German semiconductor manufacturer specializing in power management, automotive electronics, and security solutions. Infineon Technologies AG is a multinational company with a global presence, and is widely recognized for its innovation and high-quality products in the semiconductor industry. -
Application Field
IPC100N04S5-1R2 is a power MOSFET transistor mainly used in various power management applications such as DC-DC converters, motor control, and battery management systems. It is also suitable for use in automotive, industrial, and consumer electronics devices where high efficiency and reliability are required. -
Package
The IPC100N04S5-1R2 chip is a PowerPAK SO-8 package, with the form of Surface Mount. It has a size of 5 mm x 6 mm, making it suitable for various electronic applications requiring compact and efficient power management.
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