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Pedidos acima de
$5000Infineon IGW30N100T
1000V IGBT capable of handling 60A current, packaged in TO-247-3
Marcas: Infineon
Parte do fabricante #: IGW30N100T
Ficha de dados: IGW30N100T Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: TO-247-3
Tipo de Produto: Single IGBTs
Status RoHS:
Condição de estoque: 8.874 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IGW30N100T Descrição geral
In summary, the IGW30N100T N-channel IGBT offers a comprehensive solution for high voltage and high-speed switching needs in industrial and automotive environments. Its advanced features, including high voltage tolerance, low saturation voltage, fast switching speed, and built-in diode protection, ensure optimal performance and reliability in a variety of applications where efficiency and precision are paramount
Características
- High efficiency and reliability
- Fast switching and low loss
- Rugged design for harsh environments
- Safe operation up to 175°C
- Compact and lightweight package
- Precise temperature control ensured
Aplicativo
- UPS power backup systems
- Welding machine controls
- Motor drive circuits
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Product Category | IGBT Transistors | RoHS | Details |
| Technology | Si | Package / Case | TO-247-3 |
| Mounting Style | Through Hole | Configuration | Single |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 1 kV | Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.55 V |
| Maximum Gate Emitter Voltage | - 20 V, 20 V | Continuous Collector Current at 25 C | 60 A |
| Pd - Power Dissipation | 412 W | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 175 C | Series | TRENCHSTOP IGBT |
| Brand | Infineon Technologies | Continuous Collector Current Ic Max | 30 A |
| Gate-Emitter Leakage Current | 600 nA | Product Type | IGBT Transistors |
| Factory Pack Quantity | 240 | Subcategory | IGBTs |
| Tradename | TRENCHSTOP | Part # Aliases | IGW3N1TXK SP000380845 IGW30N100TFKSA1 |
| Unit Weight | 0.211644 oz |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
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Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
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PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
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Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa1 :produtos
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![Embalagem a vácuo]( "Embalagem a vácuo")
Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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![Embalagem individual]( "Embalagem individual")
Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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![etiqueta de envio com código de barras]( "etiqueta de envio com código de barras")
Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The IGW30N100T is a power transistor chip designed for high-voltage applications, capable of handling up to 30A of current and 1000V of voltage. It is commonly used in power supplies, motor controls, and other industrial applications that require high power handling capabilities.
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Equivalent
The equivalent products of the IGW30N100T chip are IRG4BC40UPBF, IHF90N03T, and STG30NC60WD. -
Features
IGW30N100T is a high-power insulated gate bipolar transistor (IGBT) with a voltage rating of 1000V and a current rating of 30A. It features low on-state voltage drop, fast switching speed, and high ruggedness, making it suitable for a wide range of industrial applications. -
Pinout
IGW30N100T is a IGBT module with a pin count of 13. It is used for high power switching applications in motor control and power supplies. The functions of the pins include gate, collector, emitter, and auxiliary connections for gate driver and temperature sensing. -
Manufacturer
IGW30N100T is manufactured by Infineon Technologies, a German semiconductor manufacturer. Infineon specializes in the production of power semiconductors, security systems, sensors, and microcontrollers for automotive, industrial, and consumer electronics applications. -
Application Field
The IGW30N100T is primarily used in applications such as power supplies, motor control, and high-voltage systems where high efficiency and power handling capabilities are required. It is commonly used in industries like telecommunications, industrial automation, and renewable energy systems. -
Package
The IGW30N100T is a TO-247AD package type insulated gate bipolar transistor (IGBT) chip with a form factor of tube. It measures 15mm x 3.75mm x 21.5mm in size.
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