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TOSHIBA GT30J322
IGBT Transistors 3PNIS IGBT TRC2,ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04),
Marcas: Toshiba
Parte do fabricante #: GT30J322
Ficha de dados: GT30J322 Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: TO-3P(N)IS-3
Tipo de Produto: IGBT Transistors
Status RoHS:
Condição de estoque: 9458 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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Características
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Product Category | IGBT Transistors | Technology | Si |
| Package / Case | TO-3P(N)IS-3 | Mounting Style | Through Hole |
| Configuration | Single | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 600 V |
| Maximum Gate Emitter Voltage | - 20 V, + 20 V | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
| Series | GT30J322 | Brand | Toshiba |
| Continuous Collector Current Ic Max | 30 A | Height | 21 mm |
| Length | 15.8 mm | Product Type | IGBT Transistors |
| Subcategory | IGBTs |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
 |
Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
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PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
 |
Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa1 :produtos
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![Embalagem a vácuo]( "Embalagem a vácuo")
Etapa2 :Embalagem a vácuo
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![Saco antiestático]( "Saco antiestático")
Etapa3 :Saco antiestático
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![Embalagem individual]( "Embalagem individual")
Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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![etiqueta de envio com código de barras]( "etiqueta de envio com código de barras")
Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The GT30J322 chip is a high-speed, high-voltage power transistor designed for power amplification. It utilizes advanced MOSFET technology, allowing for efficient operation at high frequencies. This chip is commonly used in audio amplifiers and other high-power applications, providing high voltage capability and low distortion.
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Equivalent
The equivalent products of the GT30J322 chip include INSX30J322, 2SJ322, QJ8050J322, and NTE2397. These chips have similar specifications and can be used as replacements for the GT30J322. -
Features
The GT30J322 is a power metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) that offers high-current capability, low on-resistance, and a fast switching speed. It is specifically designed for high-frequency power amplifier applications, making it suitable for use in audio amplifiers, communication equipment, and other high-power electronic devices. -
Pinout
The GT30J322 is a 600V insulated gate bipolar transistor (IGBT) with a TO-220 package. It has a pin count of 3. The functions of the pins are as follows: Pin 1 is the emitter, Pin 2 is the collector, and Pin 3 is the gate. -
Manufacturer
The manufacturer of the GT30J322 is Toshiba Corporation. Toshiba is a multinational conglomerate company based in Japan. It specializes in various products and services, including electronics, semiconductors, home appliances, information technology, and more. -
Application Field
The GT30J322 is a power MOSFET transistor with high voltage capability and low switching losses. It can be used in various applications, including power supplies, motor control, audio amplifiers, and electronic ballasts. -
Package
The GT30J322 chip is an N-channel IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) module. It is available in a 7 pin Mini Mold type package. The dimensions of the package are typically around 23.3mm x 42.1mm x 4.5mm.
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