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Pedidos acima de
$5000TOSHIBA GT20J101
Channel IGBT Insulated Gate BIP Transistor
Marcas: Toshiba
Parte do fabricante #: GT20J101
Ficha de dados: GT20J101 Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: TO-3PN-3
Status RoHS:
Condição de estoque: 7.611 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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GT20J101 Descrição geral
The GT20J101 is a N-channel IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) designed for high power applications such as motor control, power supplies, and inverters. It has a low collector-emitter saturation voltage and a high current handling capability, making it ideal for high efficiency and high-speed switching operations. This IGBT has a collector current rating of 50A, a collector-emitter voltage of 600V, and a power dissipation of 120W. It also has a low on-state resistance of 0.1 ohms, allowing for efficient power switching with minimal heat generation. The GT20J101 is housed in a TO-3PF package, which provides good thermal conductivity and mechanical strength for reliable performance in demanding applications.The gate of the GT20J101 is insulated to provide high gate-source voltage withstand capability, making it suitable for use in high voltage circuits. It has a threshold voltage of 3V and a gate charge of 55nC, ensuring fast and efficient switching performance. Additionally, the GT20J101 has built-in protection features such as overcurrent and overtemperature protection, enhancing its durability and reliability in harsh operating conditions.In conclusion, the GT20J101 is a high-performance N-channel IGBT designed for high power applications, offering low on-state resistance, high current handling capability, and built-in protection features for reliable and efficient operation
Características
- Low on-resistance
- Fast switching speed
- High forward transfer admittance
- Enhanced avalanche energy
- High power dissipation capability
- Small and lightweight
- RoHS compliant
- Compatible with lead-free soldering processes
- High reliability
- Designed for high voltage applications
Aplicativo
- Automotive electronics
- Power management applications
- Motor drive applications
- Industrial power supplies
- Consumer electronics
- Telecommunications
- LED lighting
- Audio amplifiers
- High-frequency power converters
- Other high-voltage applications
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Product Category | IGBT Transistors | Technology | Si |
| Package / Case | TO-3PN-3 | Mounting Style | Through Hole |
| Configuration | Single | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 600 V |
| Maximum Gate Emitter Voltage | - 20 V, + 20 V | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Series | GT20J101 |
| Brand | Toshiba | Continuous Collector Current Ic Max | 20 A |
| Height | 19 mm | Length | 15.9 mm |
| Product Type | IGBT Transistors | Subcategory | IGBTs |
| Width | 4.8 mm |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
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| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
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