As imagens são apenas para referência. Consulte as especificações do produto
NXP BUK9Y21-40E
Trans MOSFET N-CH 40V 33A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK
Marcas: NXP Semiconductor
Parte do fabricante #: BUK9Y21-40E
Ficha de dados: BUK9Y21-40E Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: SOT-669-5
Tipo de Produto: Transistores
Status RoHS:
Condição de estoque: 2947 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
0
1
Adicionar à lista técnicaBUK9Y21-40E Descrição geral
Logic level N-channel MOSFET in an LFPAK56 (Power SO8) package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to AEC Q101 standard for use in high performance automotive applications.
Características
- Q101 compliant
- Repetitive avalanche rated
- Suitable for thermally demanding environments due to 175 °C rating
- True logic level gate with VGS(th) rating of greater than 0.5 V at 175 °C
Aplicativo
- 12 V Automotive systems
- Motors, lamps and solenoid control
- Transmission control
- Ultra high performance power switching
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Pin Count | 6 | Package Category | Other |
| Released Date | Jul 8, 2022 |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
 |
Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
 |
PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
 |
Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
 |
Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
Garantias
1.Os componentes eletrônicos que você compra incluem garantia de 365 dias, garantimos a qualidade do produto.
2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.
Embalagem
-
![produtos]( "produtos")
Etapa1 :produtos
-
![Embalagem a vácuo]( "Embalagem a vácuo")
Etapa2 :Embalagem a vácuo
-
![Saco antiestático]( "Saco antiestático")
Etapa3 :Saco antiestático
-
![Embalagem individual]( "Embalagem individual")
Etapa4 :Embalagem individual
-
![Caixas de embalagem]( "Caixas de embalagem")
Etapa5 :Caixas de embalagem
-
![etiqueta de envio com código de barras]( "etiqueta de envio com código de barras")
Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
-
The BUK9Y21-40E chip is a MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) device designed for power management applications. It operates as an N-channel enhancement mode transistor with a voltage rating of 40V and a continuous drain current of 44A. The chip offers low on-state resistance, fast switching capabilities, and excellent thermal performance, making it suitable for various power conversion and control circuits in automotive, industrial, and consumer electronics applications.
-
Features
The BUK9Y21-40E is a N-channel enhancement mode MOSFET with a low on-resistance of 0.04Ω, capable of handling a drain current up to 110A. It has a gate threshold voltage of 2.5V and a maximum drain-source voltage of 40V. It is designed for use in a wide range of applications, including power management and motor control. -
Pinout
The BUK9Y21-40E is a discrete N-channel power MOSFET transistor with a TO-263 (D2Pak) package. It has 3 pins: gate, drain, and source. The gate pin is used to control the flow of current between the drain and source pins. -
Manufacturer
The manufacturer of the BUK9Y21-40E is ROHM Semiconductor. It is a Japanese semiconductor and electronic components company that specializes in the design and production of integrated circuits, transistors, diodes, and other electronic components. -
Application Field
The BUK9Y21-40E is a N-channel enhancement mode MOSFET designed for high voltage power applications. It is commonly used in various industries for applications such as motor control, power supplies, lighting, and industrial automation. -
Package
The BUK9Y21-40E is packaged in a TO-263 form, which is also known as D2PAK. The package size is approximately 10.4mm x 17.2mm x 5.5mm.
Oferecemos produtos de alta qualidade, serviço atencioso e garantia pós-venda
-
![produtos]( "produtos")
Temos produtos ricos que podem atender às suas diversas necessidades.
-
![quantity]( "quantity")
A quantidade mínima de pedido começa em 1 unidade.
-
![shipping]( "shipping")
A menor taxa de envio internacional começa em US$ 0,00
-
![garantia]( "garantia")
365 dias de garantia de qualidade para todos os produtos
