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$5000
2SK3019TL
N-channel Silicon
Marcas: Rohm Semiconductor
Parte do fabricante #: 2SK3019TL
Ficha de dados: 2SK3019TL Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: SOT-416-3
Status RoHS:
Condição de estoque: 5.073 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Preço Externo |
|---|---|---|
| 10 | $0,029 | $0,290 |
| 100 | $0,025 | $2,500 |
| 300 | $0,023 | $6,900 |
| 3000 | $0,022 | $66,000 |
| 6000 | $0,022 | $132,000 |
| 9000 | $0,021 | $189,000 |
Em estoque: 5.073 PCS
2SK3019TL Descrição geral
The 2SK3019TL is a field-effect transistor (FET) typically used in electronic circuitry for amplification, switching, and voltage regulation. Manufactured by Toshiba, it belongs to the K3019 series of FETs. Here are the key specifications:1. **Type:** N-channel enhancement mode FET2. **Package:** Thin-type SOT-23 (TL)3. **Maximum Drain-Source Voltage (Vds):** 30V4. **Maximum Gate-Source Voltage (Vgs):** ±20V5. **Continuous Drain Current (Id):** 0.1A6. **Total Power Dissipation (Pd):** 0.15W7. **Low Input Capacitance:** Typically around 9pF8. **Low ON Resistance (Rds(on)):** Typically around 10Ω9. **Fast Switching Speed:** Helps in high-frequency applicationsThe small package and low input capacitance make it suitable for applications where space is limited, or high-frequency operation is necessary, such as in radio frequency (RF) circuits, small signal amplifiers, and low-power switching applications. Its low ON resistance ensures minimal voltage drop when conducting, contributing to efficient power management.
Características
Aplicativo
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-416-3 | Transistor Polarity | N-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Id - Continuous Drain Current | 100 mA | Rds On - Drain-Source Resistance | 8 Ohms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 800 mV |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 150 mW |
| Channel Mode | Enhancement | Series | 2SK3019 |
| Brand | ROHM Semiconductor | Configuration | Single |
| Fall Time | 80 ns | Height | 0.7 mm |
| Length | 1.6 mm | Product | MOSFET Small Signals |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 35 ns |
| Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 1 N-Channel MOSFET | Type | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 80 ns | Typical Turn-On Delay Time | 15 ns |
| Width | 0.8 mm | Part # Aliases | 2SK3019 |
| Unit Weight | 0.000282 oz |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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