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2N4220

Channel Junction FET

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marcas: Interfet

Parte do fabricante #: 2N4220

Ficha de dados: 2N4220 Ficha de dados (PDF)

Pacote/Caso: TO-72-4

Tipo de Produto: JFETs

Status RoHS:

Condição de estoque: 9.458 peças, novo original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Rápida citação

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2N4220 Descrição geral

The 2N4220 is a silicon PNP transistor designed for general-purpose amplifier applications. It has a maximum collector current (IC) rating of 500 mA and a maximum collector-base voltage (VCBO) of -25V. The transistor is housed in a TO-18 package, which is a small metal can package typically used for small signal transistors.The 2N4220 has a total power dissipation rating of 625 mW at 25 degrees Celsius. It has a transition frequency (ft) of 120 MHz, making it suitable for high-frequency applications. The transistor has a low noise figure, making it ideal for use in low-noise amplifier circuits.The 2N4220 is characterized by its high current gain (hfe) of 100 to 500. This high gain allows for amplification of weak signals with high fidelity. The transistor also has a low saturation voltage and high breakdown voltage, making it reliable in a variety of operating conditions.

Características

  • P-N-P silicon transistor
  • Low power, high current, high voltage
  • Low noise, low leakage
  • Drive medium power loads
  • Complementary type to 2N4422

Aplicativo

  • Low frequency amplifier circuits
  • Switching applications in communication systems
  • Signal processing circuits
  • Oscillator circuits
  • Pulse generation circuits
  • Waveform shaping circuits

Especificações

Parâmetro Valor Parâmetro Valor
Product Category JFET RoHS Details
Technology Si Mounting Style Through Hole
Package / Case TO-72-4 Transistor Polarity N-Channel
Configuration Single Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 15 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage - 30 V Gate-Source Cutoff Voltage - 4 V
Drain-Source Current at Vgs=0 3 mA Id - Continuous Drain Current 100 pA
Pd - Power Dissipation 300 mW Series 2N422
Brand InterFET Forward Transconductance - Min 1000 uS
Product Type JFETs Factory Pack Quantity 1
Subcategory Transistors Type JFET
Unit Weight 0.100919 oz

Envio

Tipo de envio Taxa de envio Tempo de espera
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
CORREIO AÉREO REGISTADO CORREIO AÉREO REGISTADO $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias

Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.

Pagamento

Termos de pagamento Taxa de mão
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Cartão de crédito Cartão de crédito cobrar taxa de serviço de 3,5%.
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Embalagem

  • produtos

    Etapa1 :produtos

  • Embalagem a vácuo

    Etapa2 :Embalagem a vácuo

  • Saco antiestático

    Etapa3 :Saco antiestático

  • Embalagem individual

    Etapa4 :Embalagem individual

  • Caixas de embalagem

    Etapa5 :Caixas de embalagem

  • etiqueta de envio com código de barras

    Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras

Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.

Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.

Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.

Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.

  • ESD
  • ESD

Part points

  • The 2N4220 is a dual-gate MOSFET transistor commonly used in radio frequency and amplifier circuits. It features two gates, allowing for separate input and output signals to be controlled. The chip is known for its high-frequency performance, low noise, and high gain characteristics, making it ideal for applications requiring amplification and switching of high-frequency signals.
  • Equivalent

    Some equivalent products of 2N4220 chip are NTE69, ECG69, 2SC144, 2N567, and 2N1275. These transistors are similar in specifications and can be used as replacements for the 2N4220 chip in electronic circuit designs.
  • Features

    The 2N4220 is a PNP high-voltage transistor with a maximum collector-base voltage of 800V, a collector current of 50mA, and a power dissipation of 500mW. It has a low saturation voltage and high current gain, making it suitable for medium-power applications in switching and amplification circuits.
  • Pinout

    The 2N4220 is a Silicon NPN transistor with 3 pins: emitter, base, and collector. It has a pin count of 3. The emitter is the input, the base is the control, and the collector is the output. It is commonly used for amplification and switching applications.
  • Manufacturer

    2N4220 is manufactured by Central Semiconductor, a company that specializes in designing and manufacturing discrete semiconductor devices. The company provides a wide range of products including diodes, rectifiers, transistors, and MOSFETs for various industries such as automotive, telecommunications, and consumer electronics.
  • Application Field

    The 2N4220 is predominantly used in low-power amplification and switching applications in various electronic devices such as audio amplifiers, signal conditioning circuits, and control systems. It can also be used in high-frequency applications due to its ability to operate at frequencies up to 1 GHz.
  • Package

    The 2N4220 chip is a small signal NPN transistor with a TO-92 package. It comes in a through-hole form with three terminals and measures approximately 4.81mm x 6.6mm x 4.45mm in size.

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