Pedidos acima de
$5000TOSHIBA TC58NVG0S3EBAI4
SLC NAND Flash with 1G-bit capacity in TFBGA package
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![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
Marcas: kioxia
Parte do fabricante #: TC58NVG0S3EBAI4
Ficha de dados: TC58NVG0S3EBAI4 Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: BGA
Tipo de Produto: Memória
Status RoHS:
Condição de estoque: 10 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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A Ovaga possui um grande estoque de TC58NVG0S3EBAI4 Memória de kioxia e garantimos que são peças originais e novas, provenientes diretamente de kioxia Podemos fornecer relatórios de testes de qualidade para TC58NVG0S3EBAI4 a seu pedido. Para obter um orçamento, basta preencher a quantidade necessária, nome de contato e endereço de e-mail no formulário de orçamento rápido à direita. Nosso representante de vendas entrará em contato com você dentro de 12 horas.
![TC58NVG0S3EBAI4 TC58NVG0S3EBAI4](/files/uploads/product/b/20230419150830808.jpg)
![kioxia Inventory kioxia Inventory](/files/uploads/inventory/toshiba/toshiba.jpg)
Especificações
Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
---|---|---|---|
Product Category | NAND Flash | RoHS | Details |
Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | TFBGA-63 |
Memory Size | 1 Gbit | Interface Type | Parallel |
Organization | 128 M x 8 | Timing Type | Synchronous |
Data Bus Width | 8 bit | Supply Voltage - Min | 2.7 V |
Supply Voltage - Max | 3.6 V | Supply Current - Max | 30 mA |
Minimum Operating Temperature | - 40 C | Maximum Operating Temperature | + 85 C |
Active Read Current - Max | 30 mA | Architecture | Block Erase |
Brand | Kioxia America | Memory Type | NAND |
Moisture Sensitive | Yes | Product | NAND Flash |
Product Type | NAND Flash | Speed | 25 ns |
Factory Pack Quantity | 210 |
Envio
Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
Termos de pagamento | Taxa de mão | |
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Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
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PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
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Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
Garantias
1.Os componentes eletrônicos que você compra incluem garantia de 365 dias, garantimos a qualidade do produto.
2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.
Embalagem
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Etapa1 :produtos
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The TC58NVG0S3EBAI4 is a NAND flash memory chip developed by Toshiba. It offers high-speed data transfer rates, low power consumption, and a reliable storage solution for a variety of electronic devices. Its compact size and durability make it a popular choice for manufacturers in the consumer electronics industry.
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Equivalent
Some equivalent products of the TC58NVG0S3EBAI4 chip include the Micron MT29F256G08EECABH3-6ITX-A, SK Hynix H27U2G8F2CTR, Samsung K9HAG08UOD-PCB0, and Intel JS29F64G08AAME1. These chips are similar in terms of capacity, speed, and functionality. -
Features
1. Toshiba TC58NVG0S3EBAI4 is a NAND flash memory chip. 2. It has a storage capacity of 64 gigabits (8 gigabytes). 3. Uses 3D BiCS FLASH technology for faster data transfer speeds. 4. Offers reliable performance and durability for various applications. 5. Suitable for use in smartphones, tablets, and other electronic devices. -
Pinout
The TC58NVG0S3EBAI4 is a 63-ball BGA NAND flash memory IC. The pin count includes 56 data pins, 4 control pins, 2 power supply pins, and 1 ground pin. Its functions include storing data in non-volatile memory, transferring data between devices, and executing read and write operations. -
Manufacturer
The TC58NVG0S3EBAI4 is manufactured by Toshiba, a multinational conglomerate company based in Japan. Toshiba produces a wide range of products including industrial machinery, electronic devices, and home appliances. They are known for their innovations in technology and have a strong presence in the global market. -
Application Field
The TC58NVG0S3EBAI4 is commonly used in applications such as laptops, desktop computers, digital cameras, and gaming consoles for data storage and retrieval. Its high speed and reliable performance make it suitable for a wide range of consumer electronics devices. -
Package
The TC58NVG0S3EBAI4 chip comes in a BGA package type, with a rectangular form factor. The size of the chip is 14mm x 18mm, which is common for BGA packages.
Oferecemos produtos de alta qualidade, serviço atencioso e garantia pós-venda
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Temos produtos ricos que podem atender às suas diversas necessidades.
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A quantidade mínima de pedido começa em 1 unidade.
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A menor taxa de envio internacional começa em US$ 0,00
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