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$5000
vishay SIC634CD-T1-GE3
50A Power Stage with VRPower Integration
Marcas: VISHAY
Parte do fabricante #: SIC634CD-T1-GE3
Ficha de dados: SIC634CD-T1-GE3 Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: QFN
Status RoHS:
Condição de estoque: 1.202 peças, novo original
Tipo de Produto: Full Half,Bridge Drivers
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Todos os preços estão em USD
| Quantidade | Preço unitário | Preço Externo |
|---|---|---|
| 1 | $0,964 | $0,964 |
| 10 | $0,865 | $8,650 |
| 30 | $0,811 | $24,330 |
| 100 | $0,750 | $75,000 |
| 500 | $0,614 | $307,000 |
| 1000 | $0,603 | $603,000 |
Em estoque: 1.202 PCS
SIC634CD-T1-GE3 Descrição geral
In conclusion, the SIC634CD-T1-GE3 is a premium silicon carbide Schottky diode that combines cutting-edge technology with superior functionality. Its high-performance features, compact design, and environmental compliance make it a standout choice for a wide range of applications where reliability and efficiency are paramount. Choose the SIC634CD-T1-GE3 for your power electronics needs and experience the difference in performance and quality
Características
- This product features a high voltage rating of 650V
- It is designed for high temperature operation up to 175°C
- The SIC634CD-T1-GE3 has a low forward voltage drop of 2.5V
- Its thermal conductivity allows for efficient heat dissipation
- This diode features fast switching speeds and high current rating
- Suitable for various applications such as power supplies and motor control
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Product Category | Gate Drivers | RoHS | Details |
| REACH | Details | Product | MOSFET Gate Drivers |
| Type | High-Side, Low-Side | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | PowerPak-31 | Number of Drivers | 1 Driver |
| Number of Outputs | 1 Output | Output Current | 50 A |
| Supply Voltage - Min | 4.5 V | Supply Voltage - Max | 24 V |
| Configuration | Non-Inverting | Minimum Operating Temperature | - 40 C |
| Maximum Operating Temperature | + 125 C | Series | SIC634 |
| Brand | Vishay Semiconductors | Input Voltage, Max | 24 V |
| Input Voltage, Min | 4.5 V | Maximum Turn-Off Delay Time | 20 ns |
| Maximum Turn-On Delay Time | 20 ns | Operating Supply Current | 300 uA |
| Product Type | Gate Drivers | Shutdown | Shutdown |
| Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | PMIC - Power Management ICs |
| Technology | Si |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
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Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
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PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
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Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa1 :produtos
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![Embalagem a vácuo]( "Embalagem a vácuo")
Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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SIC634CD-T1-GE3 is a high-performance, silicon carbide Schottky diode chip designed for power electronics applications. It offers low forward voltage drop, high switching speeds, and high temperature operation, making it ideal for high-efficiency and high-frequency applications. With its robust construction and superior performance characteristics, this chip is a reliable choice for demanding power management systems.
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Equivalent
The equivalent products of SIC634CD-T1-GE3 chip are SIHP15N60E-E3, SIHP30N60E-E3, and SIHP30N60S-E3. These are all Silicon Carbide (SiC) MOSFETs designed for high power applications with improved efficiency and performance characteristics. -
Features
SIC634CD-T1-GE3 is a Silicon Carbide (SiC) Schottky diode with a forward current of 6A, forward voltage of 1.2V, and a reverse voltage of 650V. It has a low reverse recovery time, high surge current capability, and high thermal conductivity, making it suitable for high power applications. -
Pinout
The SIC634CD-T1-GE3 is a 40-pin Dual QFN package Schottky diode featuring two cathodes and a common anode. It is used for reverse polarity protection and signal clamping applications in various electronic devices. -
Manufacturer
The manufacturer of SIC634CD-T1-GE3 is Vishay Intertechnology, Inc. It is an American company specializing in discrete semiconductors and passive electronic components. Vishay Intertechnology is a global leader in the semiconductor industry, providing innovative solutions for a wide range of applications in the automotive, industrial, consumer, and telecommunications markets. -
Application Field
SIC634CD-T1-GE3 is primarily used in high voltage and high frequency applications such as power supplies, solar inverters, motor control, and electric vehicle chargers. Its advanced Silicon Carbide technology offers higher efficiency, faster switching speeds, and better thermal performance compared to traditional silicon devices. -
Package
The SIC634CD-T1-GE3 chip is a surface mount package, in the form of a tape and reel. It has a size of 5000 units per reel.
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