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Infineon S29GL128S10TFIV13
ROHS Compliant 128Mbit Parallel NOR Flash Memory in TFSOP-56
![ISO14001](/img/about/iso14001.png)
![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
Marcas: Infineon Technologies Corporation
Parte do fabricante #: S29GL128S10TFIV13
Ficha de dados: S29GL128S10TFIV13 Datasheet (PDF)
Pacote/Caso: TSOP-56
Status RoHS:
Condição de estoque: 2.886 peças, novo original
Tipo de Produto: Memória
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Todos os preços estão em USD
Quantidade | Preço unitário | Preço Externo |
---|---|---|
1 | $0,356 | $0,356 |
200 | $0,138 | $27,600 |
500 | $0,133 | $66,500 |
1000 | $0,131 | $131,000 |
Em estoque: 2.886 PCS
S29GL128S10TFIV13 Descrição geral
With a voltage range of 2.7V to 3.6V, the S29GL128S10TFIV13 flash memory device from Cypress Semiconductor offers quick access to stored data with its 10ns random access time. It supports both asynchronous page mode and synchronous burst read operations for fast and efficient data transfer. The device's organization into 128 uniform sectors of 64K bytes each, along with erase suspend and resume capability, provides flexibility during erase operations. Additionally, its voltage-tolerant page buffer supports both 3.3V and 2.7V interfaces, making it versatile for a wide range of applications. The S29GL128S10TFIV13 also features a hardware reset pin for easy system integration and configuration, as well as a low standby current and maximum read current for efficient programming and erasing operations
Especificações
Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
---|---|---|---|
RHoS | yes | PBFree | yes |
Rohs Code | Yes | Part Life Cycle Code | Active |
Ihs Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES AG | Reach Compliance Code | compliant |
Access Time-Max | 100 ns | Additional Feature | 20 YEARS DATA RETENTION; 10000 ERASE/PROGRAM CYCLES |
Alternate Memory Width | 1 | Boot Block | BOTTOM/TOP |
Command User Interface | YES | Common Flash Interface | YES |
Data Polling | YES | Data Retention Time-Min | 2 |
Endurance | 100000 Write/Erase Cycles | JESD-30 Code | R-PDSO-G56 |
JESD-609 Code | e3 | Length | 18.4 mm |
Memory Density | 134217728 bit | Memory IC Type | FLASH |
Memory Width | 8 | Moisture Sensitivity Level | 3 |
Number of Functions | 1 | Number of Sectors/Size | 128 |
Number of Terminals | 56 | Number of Words | 16777216 words |
Number of Words Code | 16000000 | Operating Mode | ASYNCHRONOUS |
Operating Temperature-Max | 85 °C | Operating Temperature-Min | -40 °C |
Organization | 16MX8 | Output Characteristics | 3-STATE |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Code | TSSOP |
Package Equivalence Code | TSSOP56,.8,20 | Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | Page Size | 32 words |
Parallel/Serial | PARALLEL | Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Programming Voltage | 3 V | Ready/Busy | YES |
Seated Height-Max | 1.2 mm | Sector Size | 128K |
Standby Current-Max | 0.0001 A | Supply Current-Max | 0.1 mA |
Supply Voltage-Max (Vsup) | 3.6 V | Supply Voltage-Min (Vsup) | 2.7 V |
Supply Voltage-Nom (Vsup) | 3 V | Surface Mount | YES |
Technology | CMOS | Terminal Finish | MATTE TIN |
Terminal Form | GULL WING | Terminal Pitch | 0.5 mm |
Terminal Position | DUAL | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Toggle Bit | YES | Type | NAND TYPE |
Width | 14 mm |
Envio
Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
Termos de pagamento | Taxa de mão | |
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PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
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Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa4 :Embalagem individual
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