As imagens são apenas para referência. Consulte as especificações do produto
NRVB1H100SFT3G
Part of MBR1H100SFT3G Series
Marcas: Onsemi
Parte do fabricante #: NRVB1H100SFT3G
Ficha de dados: NRVB1H100SFT3G Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: SOD-123FL
Tipo de Produto: Schottky Diodes & Rectifiers
Status RoHS:
Condição de estoque: 9458 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
0
1
Adicionar à lista técnicaNRVB1H100SFT3G Descrição geral
This Schottky Rectifier uses the Schottky Barrier principle with a large area metal-to-silicon power diode. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification or as free wheeling and polarity protection diodes in surface mount applications, where compact size and weight are critical to the system. Because of its small size, it is ideal for use in portable and battery powered products such as cellular and cordless phones, chargers, notebook computers, printers, PDAs and PCMCIA cards. Typical applications are AC-DC and DC-DC converters, reverse battery protection and 'Oring' of multiple supply voltages and any other application where performance and size are critical.
Características
- Low Forward Voltage
- Guardring for Stress Protection
- 175°C Operating Junction Temperature
- Epoxy Meets UL94 V-0
- Package Designed for Optimal Automated Board Assembly
- ESD Ratings:
Machine Model = C, Human Body Model = 3B - This is a Pb-Free Device
Mechanical Characteristics: - Reel Options: MBR1H100SFT3G = 10,000 per 13 in reel/8 mm tape
- Device Marking: L1H
- Polarity Designator: Cathode Band
- Weight: 11.7 mg (approximately)
- Case: Epoxy, Molded
- Lead Finish: 100% Matte Sn (Tin)
- Lead and Mounting Surface Temperature for Soldering Purposes: 260°C Max. for 10 Seconds
- Device Meets MSL 1 Requirements
- AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable
- NRVB Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements
Aplicativo
- Power Conversion Circuit
- Reverse Battery Protection
- Protection and Free Wheeling Diode
- Gate Driving Circuit
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Status | Active | Compliance | PbAHP |
| Package Type | SOD-123FL | Case Outline | 498-01 |
| MSL Type | 1 | MSL Temp (°C) | 260 |
| Container Type | REEL | Container Qty. | 10000 |
| ON Target | Y | Configuration | Single |
| VRRM Min (V) | 100 | VF Max (V) | 0.76 |
| IRM Max (µA) | 40 | IO(rec) Max (A) | 1 |
| IFSM Max (A) | 50 |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
 |
Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
 |
PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
 |
Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
 |
Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
Garantias
1.Os componentes eletrônicos que você compra incluem garantia de 365 dias, garantimos a qualidade do produto.
2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.
Embalagem
-
![produtos]( "produtos")
Etapa1 :produtos
-
![Embalagem a vácuo]( "Embalagem a vácuo")
Etapa2 :Embalagem a vácuo
-
![Saco antiestático]( "Saco antiestático")
Etapa3 :Saco antiestático
-
![Embalagem individual]( "Embalagem individual")
Etapa4 :Embalagem individual
-
![Caixas de embalagem]( "Caixas de embalagem")
Etapa5 :Caixas de embalagem
-
![etiqueta de envio com código de barras]( "etiqueta de envio com código de barras")
Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
-
The NRVB1H100SFT3G chip is a high voltage Silicon Carbide Schottky diode designed for use in power conversion applications. It offers low forward voltage drop, fast switching speeds, and high temperature operation, making it ideal for high power and efficiency requirements.
-
Equivalent
The equivalent products of NRVB1H100SFT3G chip include NRVB1H100SFTWG, NRVB1H100SFTWG-M2, and NRVB1H100SFTWGM2J. These chips are similar in specifications and performance, making them suitable alternatives for the NRVB1H100SFT3G chip. -
Features
NRVB1H100SFT3G is a high-speed Schottky diode with a reverse voltage of 100V, forward current of 1A, and a small foot print. It has a low forward voltage drop, fast switching speed, and is suitable for high frequency applications. -
Pinout
The NRVB1H100SFT3G is a Dual Schottky Barrier Diode Array with a pin count of 3. Pin configuration: Pin 1 - Common cathode, Pin 2 - Anode, Pin 3 - Anode. This diode array is designed for voltage clamping protection in electronic circuits. -
Manufacturer
The manufacturer of the NRVB1H100SFT3G is ROHM Semiconductor. They are a Japanese company that specializes in the design and manufacture of integrated circuits, transistors, and other electronic components. ROHM Semiconductor primarily focuses on providing semiconductor solutions for various industries including automotive, consumer electronics, and industrial applications. -
Application Field
The NRVB1H100SFT3G is commonly used in radio frequency power amplifiers, RF transceivers, and microwave circuits. It is suitable for applications in wireless communication systems, radar systems, satellite communication, and industrial RF heating equipment. Its high power handling capability and high efficiency make it ideal for high-performance RF applications. -
Package
The NRVB1H100SFT3G chip comes in a SOT-23-3 package type, surface mount form, and measures 2.8mm x 2.9mm x 1.3mm in size.
Oferecemos produtos de alta qualidade, serviço atencioso e garantia pós-venda
-
![produtos]( "produtos")
Temos produtos ricos que podem atender às suas diversas necessidades.
-
![quantity]( "quantity")
A quantidade mínima de pedido começa em 1 unidade.
-
![shipping]( "shipping")
A menor taxa de envio internacional começa em US$ 0,00
-
![garantia]( "garantia")
365 dias de garantia de qualidade para todos os produtos
