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ON MUN5315DW1T1G

Name: MUN5315DW1T1G
Rating: 4.5 (10 reviews)

Trans Digital BJT NPN/PNP: MUN5315DW1T1G, 50V, 100mA, 6-Pin SOT-363, Tape and Reel

Marcas: Onsemi

Parte do fabricante #: MUN5315DW1T1G

Ficha de dados: MUN5315DW1T1G Datasheet (PDF)

Pacote/Caso: SC-88-6

Status RoHS:

Condição de estoque: 2.526 peças, novo original

Tipo de Produto: Bipolar Transistor Arrays, Pre-Biased

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Preços

*Todos os preços estão em USD

Quantidade	Preço unitário	Preço Externo
1	$0,095	$0,095
200	$0,037	$7,400
500	$0,036	$18,000
1000	$0,035	$35,000

Em estoque: 2.526 PCS

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MUN5315DW1T1G Descrição geral

ON Semiconductor's MUN5315DW1T1G stands out as a dual N-channel MOSFET transistor designed to meet the needs of general-purpose switching applications. It boasts a 30V drain-to-source voltage rating and a 3.7A continuous drain current rating, making it a suitable choice for applications requiring low on-resistance and high power handling capacity. Furthermore, its low gate threshold voltage of 1.5V and low on-resistance of 0.063 ohms ensure minimal power dissipation and improved efficiency in switching applications, while its small 2mm x 2mm DFN package is perfect for space-constrained applications. With a maximum operating temperature of 150°C, this dual MOSFET provides reliable performance across a wide range of operating conditions

Características

MOSFET MUN53 offers 60V operation and 48A continuous drain current
It has an on-resistance of just 21mOhm, reducing power losses

Aplicativo

GaN transistor for high-power apps
Military, radar, satellite use
Efficient and reliable performance

Especificações

Parâmetro	Valor	Parâmetro	Valor
Product Category	Digital Transistors	RoHS	Details
Configuration	Dual	Transistor Polarity	NPN, PNP
Typical Input Resistor	10 kOhms	Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	SC-88-6	DC Collector/Base Gain hfe Min	160
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	50 V	Continuous Collector Current	100 mA
Peak DC Collector Current	100 mA	Pd - Power Dissipation	187 mW
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Series	MUN5315DW1	Brand	onsemi
DC Current Gain hFE Max	160 at 5 mA at 10 V	Height	0.9 mm
Length	2 mm	Number of Channels	2 Channel
Product Type	Digital Transistors	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	Transistors	Width	1.25 mm
Unit Weight	0.000219 oz

Envio

	Taxa de envio	Tempo de espera
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 dias
FedEx	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 dias
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 dias
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 dias
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 dias
CORREIO AÉREO REGISTADO	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 dias

Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.

Pagamento

Termos de pagamento		Taxa de mão
	Transferência bancária	cobrar taxa bancária de US$ 30,00.
	PayPal	cobrar taxa de serviço de 4,0%.
	Cartão de crédito	cobrar taxa de serviço de 3,5%.
	Western Union	charge US.00 banking fee.
	Grama de dinheiro	cobrar taxa bancária de US$ 0,00.

Garantias

1.Os componentes eletrônicos que você compra incluem garantia de 365 dias, garantimos a qualidade do produto.

2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.

Embalagem

Etapa1 :produtos
Etapa2 :Embalagem a vácuo
Etapa3 :Saco antiestático
Etapa4 :Embalagem individual
Etapa5 :Caixas de embalagem
Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras

Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.

Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.

Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.

Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.

Part points

The MUN5315DW1T1G chip is an NPN lownoise amplifier transistor designed for applications in wireless communication systems. It operates in the frequency range of 900MHz to 2GHz and offers a low noise figure of 1.1dB, making it suitable for sensitive signal amplification. The chip is housed in a small SOT-323 package, which enables compact designs for space-constrained applications.
Features

The MUN5315DW1T1G is a NPN Bipolar Power Transistor with a high collector current capability of 5A, low saturation voltage, and fast switching speed. It is designed for general-purpose amplifier and switching applications in power supply systems, motor control, and consumer electronics.
Pinout

The MUN5315DW1T1G is a dual NPN/PNP bipolar transistor with 6 pins. The first 3 pins are for connection to the NPN transistor, and the last 3 pins are for connection to the PNP transistor. The device is designed for switching applications in automotive and general-purpose use.
Manufacturer

The manufacturer of the MUN5315DW1T1G is ON Semiconductor. It is a multinational semiconductor supplier company.
Application Field

The MUN5315DW1T1G is an NPN bipolar transistor commonly used in a variety of applications, including switching and amplification circuits, power management systems, and in various electronic devices requiring high voltage and current capabilities.
Package

The MUN5315DW1T1G chip is available in a SOT-363 package, which is a small surface-mount package. The chip has a form factor of a small rectangular shape with four terminals. The overall package size is approximately 2.0mm x 1.25mm x 0.75mm.