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$5000MICRON MT53E768M32D4DT-053 WT:E
Active Volatile ROHS3Compliant Automotive AEC-Q100 ic memory -30C~85C TC 0.6V 1.1V 24Gb 768M x 32 1.866GHz
Marcas: MICRON
Parte do fabricante #: MT53E768M32D4DT-053 WT:E
Ficha de dados: MT53E768M32D4DT-053 WT:E Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: BGA
Tipo de Produto: Memória
Status RoHS:
Condição de estoque: 600 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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MT53E768M32D4DT-053 WT:E Descrição geral
Dram, 768M X 32Bit, -25 To 85Deg C; Dram Type:Mobile Lpddr4; Memory Configuration:768M X 32Bit; Clock Frequency Max:1.866Ghz; Ic Case/Package:Vfbga; No. Of Pins:200Pins; Supply Voltage Nom:1.1V; Ic Mounting:Surface Mount Rohs Compliant: Yes |Micron MT53E768M32D4DT-053 WT:E
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Product Category | DRAM | RoHS | Details |
| Type | SDRAM Mobile - LPDDR4 | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | VFBGA-200 | Data Bus Width | 32 bit |
| Organization | 768 M x 32 | Memory Size | 24 Gbit |
| Maximum Clock Frequency | 1.866 GHz | Supply Voltage - Max | 1.1 V |
| Minimum Operating Temperature | - 25 C | Maximum Operating Temperature | + 85 C |
| Series | 110S | Brand | Micron |
| Moisture Sensitive | Yes | Product Type | DRAM |
| Factory Pack Quantity | 1360 |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
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Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
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PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
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Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.
Embalagem
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![produtos]( "produtos")
Etapa1 :produtos
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![Embalagem a vácuo]( "Embalagem a vácuo")
Etapa2 :Embalagem a vácuo
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![Saco antiestático]( "Saco antiestático")
Etapa3 :Saco antiestático
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![Embalagem individual]( "Embalagem individual")
Etapa4 :Embalagem individual
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![Caixas de embalagem]( "Caixas de embalagem")
Etapa5 :Caixas de embalagem
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![etiqueta de envio com código de barras]( "etiqueta de envio com código de barras")
Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The MT53E768M32D4DT-053 WT:E chip is a high-density LPDDR4 memory chip designed for use in mobile devices such as smartphones and tablets. It offers fast data transfer speeds and low power consumption, making it ideal for resource-intensive applications. The chip is manufactured by Micron Technology.
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Equivalent
The equivalent products for the MT53E768M32D4DT-053 WT:E chip include options like Micron's MT53E768M32D4DS and Samsung's K4A8G085WC. These chips offer similar specifications and functionality for memory applications. -
Features
MT53E768M32D4DT-053 WT:E is a 8Gb LPDDR4x SDRAM module with a data rate of 4266 Mbps. It features low power consumption, operating voltages from 1.1V to 1.2V, and operates over a wide temperature range. It's ideal for mobile devices, automotive applications, and other high-performance computing needs. -
Pinout
The MT53E768M32D4DT-053 WT:E is a 240-pin DDR4 SDRAM (Synchronous Dynamic Random-Access Memory) module. It has a capacity of 8GB and a data rate of 3200 MT/s. The primary function of this module is to provide high-speed data storage and processing capabilities in various electronic devices. -
Manufacturer
The manufacturer of the MT53E768M32D4DT-053 WT:E is Micron Technology, Inc. Micron is an American multinational corporation specializing in computer memory and data storage technologies. It produces DRAM, NAND flash memory, and other memory-related products used in consumer electronics, networking, automotive, and other industries. -
Application Field
The MT53E768M32D4DT-053 WT:E is primarily used in electronic devices such as smartphones, tablets, and laptops for data storage and retrieval. Its high density and fast data transfer speeds make it suitable for applications requiring large amounts of memory, such as gaming consoles, automotive infotainment systems, and industrial automation. -
Package
The MT53E768M32D4DT-053 WT:E chip is a DDR4 SDRAM in a 200-ball FBGA package with a size of 10mm x 12mm.
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