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Pedidos acima de
$5000IDH10G65C6XKSA1
Schottky SiC rectifier diode with 650V voltage rating and 24A current capacity in TO-220 package
Marcas: Infineon Technologies
Parte do fabricante #: IDH10G65C6XKSA1
Ficha de dados: IDH10G65C6XKSA1 Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: TO220-2
Tipo de Produto: Single Diodes
Status RoHS:
Condição de estoque: 6.902 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IDH10G65C6XKSA1 Descrição geral
Diode 650 V 24A Through Hole PG-TO220-2
Características
- Robust construction
- Safe and reliable operation
- Minimal maintenance required
- Long lifespan ensured
- Noise-free operation guaranteed
- Ergonomic design for comfort
Aplicativo
- Integrated solutions
- Customizable options
- Cost-effective choices
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Package | Tube | Product Status | Active |
| Technology | SiC (Silicon Carbide) Schottky | Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Current - Average Rectified (Io) | 24A | Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.35 V @ 10 A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) | Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 33 µA @ 420 V | Capacitance @ Vr, F | 495pF @ 1V, 1MHz |
| Mounting Type | Through Hole | Package / Case | TO-220-2 |
| Supplier Device Package | PG-TO220-2 | Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Base Product Number | IDH10G65 |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
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Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
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PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
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Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.
Embalagem
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Etapa1 :produtos
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![Embalagem a vácuo]( "Embalagem a vácuo")
Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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![Embalagem individual]( "Embalagem individual")
Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The IDH10G65C6XKSA1 chip is a high-power, high-frequency insulated-gate bipolar transistor (IGBT) module designed for use in industrial applications such as power converters and motor control. It features a voltage rating of 650V, a current rating of 10A, and is equipped with a heat sink for efficient thermal management.
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Equivalent
The equivalent products of IDH10G65C6XKSA1 chip are IDH10G65C6XKSA2, IDH10G65C6XKSA3, and IDH10G65C6XKSA4. -
Features
1. 650V, 10A, Single Channel IGBT 2. High switching frequency capability 3. Low VCE(sat) 4. Low inductance VCE(sat) voltage overshoot during turn-off 5. Kelvin emitter for easy drive lossless gate configuration 6. RBSOA and SCSOA rated 7. 6th generation Trench IGBT technology 8. UL and RoHS compliant -
Pinout
The IDH10G65C6XKSA1 is a 65-pin high-speed digital Isolation device. It provides isolation for 10 channels, offering protection against high voltages and noise in communication systems. The device helps ensure signal integrity while reducing electromagnetic interference. -
Manufacturer
IDH10G65C6XKSA1 is manufactured by Infineon Technologies AG, a German semiconductor manufacturer specializing in power and control electronics. They are known for producing a wide range of products including microcontrollers, power ICs, sensors, and automotive solutions. -
Application Field
IDH10G65C6XKSA1 is a high-voltage insulated-gate bipolar transistor (IGBT) commonly used in industrial applications, such as motor control, renewable energy systems, and power supplies. Its high voltage and current capabilities make it suitable for demanding applications that require high power efficiency and reliability. -
Package
The IDH10G65C6XKSA1 chip comes in a module package type with a size of 47mm x 25mm. It is a high voltage IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) in a 6th generation S-series IGBT form, capable of handling 1,200V and 20A.
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