GT20J321
Product GT20J321: IGBT Transistors
Marcas: Toshiba
Parte do fabricante #: GT20J321
Ficha de dados: GT20J321 Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: TO-220-3 FP
Tipo de Produto: IGBT Transistors
Status RoHS:
Condição de estoque: 6807 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
0
1
Adicionar à lista técnicaGT20J321 Descrição geral
The GT20J321 is a high-speed switching N-channel IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) designed for use in general-purpose inverter and motor control applications. It features a collector-emitter voltage of 600V and a collector current of 20A, making it suitable for a variety of high-power applications.With a low saturation voltage and fast switching speeds, the GT20J321 offers efficient performance in switching operations. It also features a built-in anti-parallel diode to protect against reverse voltage spikes and enhance the reliability of the device.The GT20J321 comes in a TO-3P package, which provides excellent thermal performance and durability. It is compatible with various mounting techniques and can withstand high-temperature environments, making it suitable for a wide range of industrial and automotive applications.
Características
- Low on-resistance
- Low drive power required
- High-speed switching
- Enhanced avalanche ruggedness
- High reliability
- Low noise and low distortion
- TO-220F package
Aplicativo
- Switching power supplies
- Audio amplifiers
- Lighting applications
- Motor control systems
- TV and monitor circuits
- Automotive electronics
- Consumer electronics
- Industrial equipment
- PC power supplies
Especificações
Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
---|---|---|---|
Product Category | IGBT Transistors | Technology | Si |
Package / Case | TO-220-3 FP | Mounting Style | Through Hole |
Configuration | Single | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 600 V |
Maximum Gate Emitter Voltage | - 20 V, + 20 V | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Series | GT20J321 |
Brand | Toshiba | Continuous Collector Current Ic Max | 20 A |
Height | 8.1 mm | Length | 10 mm |
Product Type | IGBT Transistors | Subcategory | IGBTs |
Width | 4.5 mm |
Envio
Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
---|---|---|---|
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias | |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
Termos de pagamento | Taxa de mão | |
---|---|---|
Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. | |
PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. | |
Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. | |
Western Union | charge US.00 banking fee. | |
Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
Garantias
1.Os componentes eletrônicos que você compra incluem garantia de 365 dias, garantimos a qualidade do produto.
2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.
Embalagem
-
Etapa1 :produtos
-
Etapa2 :Embalagem a vácuo
-
Etapa3 :Saco antiestático
-
Etapa4 :Embalagem individual
-
Etapa5 :Caixas de embalagem
-
Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
-
The GT20J321 is a power transistor chip designed for audio amplifier applications. It features a high breakdown voltage, low on-state resistance, and high current capability. This chip is commonly used in car audio systems and professional audio equipment to deliver high-quality sound reproduction.
-
Equivalent
Some equivalent products of the GT20J321 chip include: NTE2994, 2SC5949, MJE13009G, BU808DFI, and STW20NM50FD. -
Features
The GT20J321 is a 200V, 20A N-channel IGBT. It features low saturation voltage, fast switching speed, and high input impedance. It is ideal for power switching applications in various electronic devices and systems. -
Pinout
The GT20J321 is a 4-pin insulated gate bipolar transistor (IGBT) module. It includes pins for the collector, emitter, gate, and collector-emitter current sense. The pin functions are: pin 1 for collector, pin 2 for emitter, pin 3 for gate, and pin 4 for collector-emitter current sense. -
Manufacturer
The manufacturer of the GT20J321 is Toshiba Corporation, a Japanese multinational conglomerate company. -
Application Field
The GT20J321 is a power MOSFET commonly used in audio amplifiers and other high-power applications. It is well-suited for applications that require high efficiency and low distortion, making it ideal for use in professional audio equipment, car audio systems, and high-fidelity audio amplifiers. -
Package
The GT20J321 chip is a package type known as TO-220F, which is a common through-hole package with three leads. Its form factor is known as Flange. The package size is about 10.16mm x 15.75mm x 4.58mm.
Oferecemos produtos de alta qualidade, serviço atencioso e garantia pós-venda
-
Temos produtos ricos que podem atender às suas diversas necessidades.
-
A quantidade mínima de pedido começa em 1 unidade.
-
A menor taxa de envio internacional começa em US$ 0,00
-
365 dias de garantia de qualidade para todos os produtos