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$5000GS882Z36CGD-200
Dual voltage capability of 2.5V or 3.3V
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Marcas: Gsi Technology
Parte do fabricante #: GS882Z36CGD-200
Ficha de dados: GS882Z36CGD-200 Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: BGA-165
Tipo de Produto: Memória
Status RoHS:
Condição de estoque: 4.664 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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GS882Z36CGD-200 Descrição geral
The GS882Z36CGD-200 is a high-performance gallium nitride (GaN) power semiconductor device designed for efficient power conversion applications. It operates as a cascode GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with an integrated driver and protection features. This device offers a compact and efficient solution for various power electronics applications, including power supplies, DC-DC converters, and Class D audio amplifiers. Its high switching frequency capability enables miniaturization and enhances system efficiency. With a low on-resistance and fast switching speed, it minimizes power losses and improves overall system performance.The GS882Z36CGD-200 features a gate driver optimized for high-speed switching, ensuring reliable and precise control over the power conversion process. Additionally, built-in protection mechanisms such as overcurrent and overtemperature protection enhance system robustness and reliability.With its compact size, high efficiency, and advanced features, the GS882Z36CGD-200 facilitates the development of next-generation power electronics systems, enabling designers to achieve higher power density and energy efficiency in their applications. Its specifications make it suitable for a wide range of industrial, automotive, and consumer electronics applications where efficient power conversion is critical
Características
Aplicativo
Especificações
Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
---|---|---|---|
Product Category | SRAM | RoHS | Details |
Memory Size | 9 Mbit | Organization | 256 k x 36 |
Access Time | 6.5 ns | Maximum Clock Frequency | 200 MHz |
Interface Type | Parallel | Supply Voltage - Max | 3.6 V |
Supply Voltage - Min | 2.3 V | Supply Current - Max | 140 mA, 170 mA |
Minimum Operating Temperature | 0 C | Maximum Operating Temperature | + 70 C |
Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | BGA-165 |
Brand | GSI Technology | Memory Type | SDR |
Moisture Sensitive | Yes | Product Type | SRAM |
Series | GS882Z36CGD | Factory Pack Quantity | 72 |
Subcategory | Memory & Data Storage | Tradename | NBT SRAM |
Type | NBT Pipeline/Flow Through |
Envio
Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
Termos de pagamento | Taxa de mão | |
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Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa1 :produtos
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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