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Pedidos acima de
$5000TI CSD19532Q5BT
VSON-8-EP(5x6) MOSFETs ROHS, designated as product CSD19532Q5BT, is recognized for its efficiency and reliability in electronic applications
Marcas: Texas Instruments
Parte do fabricante #: CSD19532Q5BT
Ficha de dados: CSD19532Q5BT Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: VSON-CLIP-8
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Status RoHS:
Condição de estoque: 250 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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CSD19532Q5BT Descrição geral
The CSD19532Q5BT from Texas Instruments is a dual N-channel NexFET power MOSFET that offers high efficiency and reliability for a wide range of power management applications. With a low on-state resistance of 30mΩ at 10V gate drive, this MOSFET allows for minimal power dissipation and the capability to handle high currents, making it ideal for demanding systems in telecom, computing, industrial, and consumer electronics
Características
- Compact design for small spaces
- Ergonomic handle for comfortable grip
- Fast charging capability ensured
- Lithium-ion battery for high capacity
- User-friendly interface for easy operation
- Durable construction for long lifespan
Aplicativo
- Custom sound systems
- Wireless headphones
- Bluetooth speakers
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| REACH | Details | Technology | Si |
| Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | VSON-CLIP-8 |
| Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V | Id - Continuous Drain Current | 100 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 4.9 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.6 V | Qg - Gate Charge | 48 nC |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation | 3.1 W | Channel Mode | Enhancement |
| Tradename | NexFET | Series | CSD19532Q5B |
| Brand | Texas Instruments | Configuration | Single |
| Fall Time | 6 ns | Forward Transconductance - Min | 84 S |
| Height | 1 mm | Length | 6 mm |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 6 ns |
| Factory Pack Quantity | 250 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 1 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 22 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 7 ns | Width | 5 mm |
| Unit Weight | 0.003714 oz |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
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Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
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PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
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Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.
Embalagem
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Etapa1 :produtos
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![Embalagem a vácuo]( "Embalagem a vácuo")
Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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![Embalagem individual]( "Embalagem individual")
Etapa4 :Embalagem individual
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![Caixas de embalagem]( "Caixas de embalagem")
Etapa5 :Caixas de embalagem
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![etiqueta de envio com código de barras]( "etiqueta de envio com código de barras")
Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The CSD19532Q5BT chip is a multi-function power management integrated circuit (PMIC) developed by Texas Instruments. It includes features like voltage regulators, load switches, and battery chargers, making it suitable for use in a wide range of portable electronic devices. The chip provides efficient power management and helps extend battery life, making it a popular choice in the industry.
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Equivalent
Some equivalent products of the CSD19532Q5BT chip include the CSD18532Q5BT and the CSD18534Q5B. -
Features
The CSD19532Q5BT is a NexFET Power Stage for high-current applications. It features optimized efficiency, low switching losses, compact footprint, and reliable operation. It also has a wide input voltage range, high current capability, and integrated protection features such as thermal shutdown and overcurrent protection. -
Pinout
The CSD19532Q5BT is a 5V, N-channel NexFET power MOSFET. It has a pin count of 8 pins, including the gate, drain, and source pins. The function of this device is to switch and control high power loads in various applications such as power supplies, motor drives, and DC-DC converters. -
Manufacturer
The manufacturer of the CSD19532Q5BT is Texas Instruments. Texas Instruments is a multinational semiconductor company that designs and manufactures a wide range of integrated circuits and electronic devices. -
Application Field
The CSD19532Q5BT is a power stage IC, typically used in motor control applications such as industrial automation, robotics, and automotive systems. It offers protection features like overcurrent and overtemperature protection, making it suitable for demanding environments where high power and efficient motor control are required. -
Package
The CSD19532Q5BT chip is packaged in a small outline no-lead (SON) package. It has a form factor of a quad flat no-lead (QFN) and a size of 3mm x 3mm.
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