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ON BUV22G
Bipolar Transistors - BJT 40A 250V 250W NPN
Marcas: ON Semiconductor, LLC
Parte do fabricante #: BUV22G
Ficha de dados: BUV22G Datasheet (PDF)
Pacote/Caso: TO-204-2
Tipo de Produto: Transistores
Status RoHS:
Condição de estoque: 2377 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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Adicionar à lista técnicaBUV22G Descrição geral
TRANSISTOR; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 250V; Transition Frequency ft: 8MHz; Power Dissipation Pd: 250W; DC Collector Current: 40A; DC Current Gain hFE: 8hFE; Transistor Case Style: TO-3; No. of Pins: 2Pins; Operating Temperature Max: 200°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: -; SVHC: No SVHC (15-Jan-2018); Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.5V; Current Ic Continuous a Max: 40A; Gain Bandwidth ft Typ: 8MHz; Hfe Min: 10; Operating Temperature Min: -65°C; Operating Temperature Range: -65°C to +200°C; Termination Type: Through Hole
Características
- High DC current gain: HFE min. = 20 at IC = 10 A
- Low VCE(sat): VCE(sat) max. = 1.0 V at IC = 10 A
- Very fast switching times:
TF max. = 0.35 ms at IC = 20 A - Pb-Free Package is Available
Aplicativo
ONSEMIEspecificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Source Content uid | BUV22G | Pbfree Code | Yes |
| Part Life Cycle Code | Active | Ihs Manufacturer | ONSEMI |
| Part Package Code | TO-204 (TO-3) | Package Description | CASE 197A-05, TO-3, 2 PIN |
| Pin Count | 2 | Manufacturer Package Code | 197A-05 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | ECCN Code | EAR99 |
| Factory Lead Time | 52 Weeks, 1 Day | Samacsys Manufacturer | onsemi |
| Case Connection | COLLECTOR | Collector Current-Max (IC) | 40 A |
| Collector-Emitter Voltage-Max | 250 V | Configuration | SINGLE |
| DC Current Gain-Min (hFE) | 10 | JEDEC-95 Code | TO-204AE |
| JESD-30 Code | O-MBFM-P2 | JESD-609 Code | e1 |
| Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 2 |
| Operating Temperature-Max | 200 °C | Package Body Material | METAL |
| Package Shape | ROUND | Package Style | FLANGE MOUNT |
| Polarity/Channel Type | NPN | Power Dissipation-Max (Abs) | 250 W |
| Qualification Status | Not Qualified | Surface Mount | NO |
| Terminal Finish | TIN SILVER COPPER | Terminal Form | PIN/PEG |
| Terminal Position | BOTTOM | Transistor Application | SWITCHING |
| Transistor Element Material | SILICON | Transition Frequency-Nom (fT) | 8 MHz |
| feature-type | NPN | feature-category | Bipolar Power |
| feature-material | Si | feature-configuration | Single |
| feature-number-of-elements-per-chip | 1 | feature-maximum-collector-base-voltage-v | 300 |
| feature-maximum-collector-emitter-voltage-v | 250 | feature-maximum-emitter-base-voltage-v | 7 |
| feature-maximum-dc-collector-current-a | 40 | feature-minimum-dc-current-gain | 20@10mA@4V|10@20A@4V |
| feature-maximum-power-dissipation-mw | 250000 | feature-maximum-transition-frequency-mhz | 8(Min) |
| feature-packaging | Tray | feature-rad-hard | |
| feature-pin-count | 3 | feature-supplier-package | TO-204 |
| feature-standard-package-name1 | TO | feature-cecc-qualified | No |
| feature-esd-protection | feature-military | No | |
| feature-aec-qualified | No | feature-aec-qualified-number | |
| feature-auto-motive | No | feature-p-pap | No |
| feature-eccn-code | EAR99 | feature-svhc | Yes |
| feature-svhc-exceeds-threshold | Yes |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
 |
Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
 |
PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
 |
Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
 |
Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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The BUV22G chip is a component used in power systems applications. It is a high-power N-channel MOSFET that provides efficient switching capabilities. The chip features low on-resistance and fast switching speed, making it suitable for applications requiring high power and reliable performance. Its compact design and thermal efficiency make it ideal for use in various power system designs.
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Features
The features of BUV22G include a high power density, low forward voltage drop, high efficiency, and low leakage current. It also has a fast switching speed, high surge capability, and is suitable for use in high-frequency applications. -
Pinout
The BUV22G is not a specific electronic component or device. Therefore, there is no defined pin count or function for it. -
Application Field
The BUV22G is a gallium nitride (GaN) transistor that is commonly used in various applications such as power converters, wireless charging systems, telecom infrastructure, and satellite communications. It offers improved efficiency, higher power density, and greater ruggedness compared to traditional silicon-based transistors, making it suitable for applications that require high levels of power and performance. -
Package
The BUV22G chip has a TO-3P package type, a discrete transistor form, and a size of TO-3P-3.
Ficha de dados PDF
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