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Pedidos acima de
$5000NEXPERIA BUK768R3-60E
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.0083ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Marcas: NEXPERIA
Parte do fabricante #: BUK768R3-60E
Ficha de dados: BUK768R3-60E Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: D2PAK-3
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Status RoHS:
Condição de estoque: 7.843 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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A Ovaga possui um grande estoque de BUK768R3-60E Single FETs, MOSFETs de NEXPERIA e garantimos que são peças originais e novas, provenientes diretamente de NEXPERIA Podemos fornecer relatórios de testes de qualidade para BUK768R3-60E a seu pedido. Para obter um orçamento, basta preencher a quantidade necessária, nome de contato e endereço de e-mail no formulário de orçamento rápido à direita. Nosso representante de vendas entrará em contato com você dentro de 12 horas.
Especificações
| Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
|---|---|---|---|
| Source Content uid | BUK768R3-60E | Rohs Code | Yes |
| Part Life Cycle Code | Active | Ihs Manufacturer | NEXPERIA |
| Package Description | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN Code | EAR99 | Additional Feature | AVALANCHE RATED |
| Avalanche Energy Rating (Eas) | 86 mJ | Case Connection | DRAIN |
| Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 60 V |
| Drain Current-Max (ID) | 75 A | Drain-source On Resistance-Max | 0.0083 Ω |
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
| JESD-609 Code | e3 | Moisture Sensitivity Level | 1 |
| Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 2 |
| Operating Mode | ENHANCEMENT MODE | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | SMALL OUTLINE |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 245 | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
| Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 349 A | Reference Standard | AEC-Q101; IEC-60134 |
| Surface Mount | YES | Terminal Finish | TIN |
| Terminal Form | GULL WING | Terminal Position | SINGLE |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 | Transistor Application | SWITCHING |
| Transistor Element Material | SILICON |
Envio
| Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
 |
CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
| Termos de pagamento | Taxa de mão | |
|---|---|---|
 |
Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
 |
PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
 |
Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
 |
Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
Garantias
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2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.
Embalagem
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Etapa1 :produtos
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.
Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.
Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.
Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Part points
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BUK768R3-60E is a chip designed for power management applications. It is a power MOSFET device that can handle high currents and voltages up to 60V. The chip offers low on-resistance, high efficiency, and excellent thermal performance. It is commonly used in various industrial and consumer electronics applications such as motor control, power supplies, and LED lighting.
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Features
The BUK768R3-60E is a N-channel enhancement mode field-effect transistor (FET) with a high voltage rating of 600V, a maximum drain current of 14A, and low gate charge for fast switching applications. It has a compact TO-220 package and is suitable for a wide range of high power switching applications. -
Pinout
The BUK768R3-60E is a power transistor with a TO-220AB package. It has 3 pins: Gate (G), Drain (D), and Source (S). It is designed for high switching speeds and can handle continuous currents up to 60A. Its main function is to control and switch high-power loads in various electronic applications. -
Manufacturer
The manufacturer of the BUK768R3-60E is NXP Semiconductors. It is a Dutch global semiconductor manufacturer that provides a wide range of semiconductor products and solutions for various industries, including automotive, industrial, consumer electronics, and more. -
Application Field
The BUK768R3-60E is a power MOSFET transistor that can be used in various applications such as motor control, power supplies, and inverters. It is suitable for high current and high voltage applications and is designed for low on-resistance and high switching speed. -
Package
The BUK768R3-60E chip is available in a TO-263-7L package. It has a form factor of Surface Mount and its size is approximately 9.90mm x 12.65mm x 3.40mm.
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