Pedidos acima de
$5000AOS AON6362
A high-power semiconductor device
![ISO14001](/img/about/iso14001.png)
![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
Marcas: AOS
Parte do fabricante #: AON6362
Ficha de dados: AON6362 Ficha de dados (PDF)
Pacote/Caso: DFN-85X6
Tipo de Produto: Single FETs, MOSFETs
Status RoHS:
Condição de estoque: 5.693 peças, novo original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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AON6362 Descrição geral
Whether in synchronous rectification in DC-DC converters, motor control, or battery protection circuits, the AON6362 proves to be a versatile and dependable choice. Its blend of performance features, including low on-resistance, high drain current capabilities, fast switching speeds, and solid ESD protection, make it a top contender for demanding power management tasks in various industries
![AOS Inventory AOS Inventory](/files/uploads/inventory/AOS/AOS1.jpg)
Especificações
Parâmetro | Valor | Parâmetro | Valor |
---|---|---|---|
Pbfree Code | Yes | Rohs Code | Yes |
Part Life Cycle Code | End Of Life | Ihs Manufacturer | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR LTD |
Package Description | DFN-8 | Reach Compliance Code | compliant |
ECCN Code | EAR99 | Samacsys Manufacturer | Alpha & Omega Semiconductors |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 7 mJ | Case Connection | DRAIN |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 30 V |
Drain Current-Max (ID) | 60 A | Drain-source On Resistance-Max | 0.0086 Ω |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 Code | R-PDSO-F5 |
Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 5 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | SMALL OUTLINE |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 100 A | Surface Mount | YES |
Terminal Form | FLAT | Terminal Position | DUAL |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED | Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Element Material | SILICON | Product Status | Obsolete |
FET Type | N-Channel | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 27A (Ta), 60A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.2mOhm @ 20A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
Vgs (Max) | ±20V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 820 pF @ 15 V |
Power Dissipation (Max) | 6.2W (Ta), 31W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | 8-DFN (5x6) |
Package / Case | 8-PowerSMD, Flat Leads |
Envio
Tipo de envio | Taxa de envio | Tempo de espera | |
---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
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CORREIO AÉREO REGISTADO | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 dias |
Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.
Pagamento
Termos de pagamento | Taxa de mão | |
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Transferência bancária | cobrar taxa bancária de US$ 30,00. |
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PayPal | cobrar taxa de serviço de 4,0%. |
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Cartão de crédito | cobrar taxa de serviço de 3,5%. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
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Grama de dinheiro | cobrar taxa bancária de US$ 0,00. |
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Embalagem
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Etapa1 :produtos
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Etapa2 :Embalagem a vácuo
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Etapa3 :Saco antiestático
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Etapa4 :Embalagem individual
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Etapa5 :Caixas de embalagem
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Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras
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Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.
Oferecemos produtos de alta qualidade, serviço atencioso e garantia pós-venda
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Temos produtos ricos que podem atender às suas diversas necessidades.
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A menor taxa de envio internacional começa em US$ 0,00
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