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ON 2N5190G

Bipolar Junction Transistors

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marcas: Onsemi

Parte do fabricante #: 2N5190G

Ficha de dados: 2N5190G Datasheet (PDF)

Pacote/Caso: TO-225-3

Tipo de Produto: Single Bipolar Transistors

Status RoHS:

Condição de estoque: 3.343 peças, novo original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Rápida citação

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2N5190G Descrição geral

The 2N5190G is a bipolar junction transistor (BJT) designed for general-purpose amplifier and switching applications. It belongs to the NPN (negative-positive-negative) transistor family, meaning it conducts when a small current flows into its base.Its key specifications include a maximum collector current (Ic) of 1A, a maximum collector-emitter voltage (Vce) of 80V, and a power dissipation (Pd) of 800mW. These parameters determine the transistor's capability to handle current and voltage without damage.The transistor comes in a TO-92 package, a common small-sized package suitable for various electronic circuits. Its compact size makes it versatile and easy to integrate into different electronic designs.The 2N5190G's gain bandwidth product (ft) is typically 150MHz, indicating its suitability for applications requiring moderate-frequency amplification.This transistor offers high current gain (hFE) ranging from 60 to 150, providing efficient signal amplification in a wide range of applications.

2n5190g

Características

  • This NPN transistor features excellent temperature stability
  • It can withstand high temperatures up to 150°C
  • The transistor's low input impedance ensures efficient operation
  • Its high-frequency performance is also noteworthy
2n5190g

Aplicativo

  • High-power transistor for RF applications
  • Perfect for audio amplifier stages
  • Ideal for transmitter and receiver systems
2n5190g

Especificações

Parâmetro Valor Parâmetro Valor
Status Active Compliance PbAHP
Package Type TO-225-3 Case Outline 77-09
MSL Type NA MSL Temp (°C) 0
Container Type BLKBX Container Qty. 500
ON Target N Polarity NPN
Type General Purpose VCE(sat) Max (V) 0.6
IC Cont. (A) 4 VCEO Min (V) 40
VCBO (V) 40 VEBO (V) 5
VBE(on) (V) 1.2 hFE Min 25
hFE Max 100 fT Min (MHz) 2
PTM Max (W) 40

Envio

Tipo de envio Taxa de envio Tempo de espera
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
CORREIO AÉREO REGISTADO CORREIO AÉREO REGISTADO $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias

Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.

Pagamento

Termos de pagamento Taxa de mão
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PayPal PayPal cobrar taxa de serviço de 4,0%.
Cartão de crédito Cartão de crédito cobrar taxa de serviço de 3,5%.
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Grama de dinheiro Grama de dinheiro cobrar taxa bancária de US$ 0,00.

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1.Os componentes eletrônicos que você compra incluem garantia de 365 dias, garantimos a qualidade do produto.

2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.

Embalagem

  • produtos

    Etapa1 :produtos

  • Embalagem a vácuo

    Etapa2 :Embalagem a vácuo

  • Saco antiestático

    Etapa3 :Saco antiestático

  • Embalagem individual

    Etapa4 :Embalagem individual

  • Caixas de embalagem

    Etapa5 :Caixas de embalagem

  • etiqueta de envio com código de barras

    Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras

Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.

Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.

Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.

Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.

  • ESD
  • ESD

Part points

  • The 2N5190G is a high-frequency NPN transistor chip designed for use in RF and microwave applications. It offers a high power gain, low noise figure, and high reliability. The chip is commonly used in wireless communication systems, radar systems, and amplifiers where high-frequency performance is required.
  • Features

    The 2N5190G is a bipolar general-purpose transistor with a maximum collector current of 800 mA. It has a low saturation voltage of 0.25V, high current gain, and is designed for switching applications. It operates at a maximum power dissipation of 800 mW and is housed in a TO-92 package.
  • Pinout

    The 2N5190G is a transistor that has 3 pins. The function of the pins on the 2N5190G are as follows: Pin 1 is the base, Pin 2 is the collector, and Pin 3 is the emitter.
  • Manufacturer

    2N5190G is manufactured by ON Semiconductor. ON Semiconductor is a semiconductor manufacturing company that specializes in power management, analog, logic, mixed-signal, and discrete devices. They design, produce, and distribute a wide range of semiconductor components used in various industries such as automotive, industrial, consumer electronics, and more.
  • Application Field

    The 2N5190G is a general-purpose NPN bipolar transistor mainly used in various low-power amplification and switching applications. It can be found in audio amplifiers, small signal amplifiers, oscillator circuits, and general-purpose switching circuits.
  • Package

    The 2N5190G chip comes in a TO-92 package, which is commonly used for discrete semiconductors. This package has three leads (pins) and a small size, measuring approximately 4.45mm x 4.45mm x 4.32mm.

Ficha de dados PDF

Especificação Preliminar 2N5190G PDF Download

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