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1N4448HWT-7 48HRS

1 Element Rectifier Diode, Plastic Package-2, Silicon, 80V V(RRM)

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marcas: Diodes Incorporated

Parte do fabricante #: 1N4448HWT-7

Ficha de dados: 1N4448HWT-7 Ficha de dados (PDF)

Pacote/Caso: SOD-523

Status RoHS:

Condição de estoque: 7.928 peças, novo original

Tipo de Produto: Single Diodes

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Preços

*Todos os preços estão em USD

Quantidade Preço unitário Preço Externo
10 $0,027 $0,270
100 $0,024 $2,400
300 $0,022 $6,600
3000 $0,018 $54,000
6000 $0,017 $102,000
9000 $0,017 $153,000

Em estoque: 7.928 PCS

- +

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1N4448HWT-7 Descrição geral

The 1N4448HWT-7 is a high-speed switching diode that offers exceptional performance in a compact surface mount package. With a maximum repetitive reverse voltage of 100V and a forward continuous current of 250mA, this diode is suitable for a wide range of electronic applications. Its peak forward surge current of 4A and reverse recovery time of 4ns make it ideal for high-speed switching and rectification tasks. The SOD-123 package, with its small outline and easy installation, adds to the diode's versatility, making it suitable for space-constrained circuit board designs

Características

  • 1N4148BQ-7 is a fast switching signal diode with max forward voltage of 100V and reverse breakdown voltage of 200V
  • It has a forward current of 1A and a power dissipation of 2W
  • The diode is housed in a SOD123 package and operates in a temperature range of -40°C to 110°C

Aplicativo

  • Protection against voltage spikes
  • Fast and precise signal handling
  • Low forward voltage drop for efficiency

Especificações

Parâmetro Valor Parâmetro Valor
Product Category Diodes - General Purpose, Power, Switching RoHS Details
Product Switching Diodes Mounting Style SMD/SMT
Package / Case SOD-523 Peak Reverse Voltage 80 V
Max Surge Current 2 A If - Forward Current 125 mA
Configuration Single Recovery Time 4 ns
Vf - Forward Voltage 1.25 V Ir - Reverse Current 100 nA
Minimum Operating Temperature - 65 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Series 1N4448 Brand Diodes Incorporated
Height 0.65 mm Length 1.3 mm
Product Type Diodes - General Purpose, Power, Switching Factory Pack Quantity 3000
Subcategory Diodes & Rectifiers Type Switching Diode
Width 0.9 mm

Envio

Tipo de envio Taxa de envio Tempo de espera
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias
CORREIO AÉREO REGISTADO CORREIO AÉREO REGISTADO $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 dias

Tempo de processamento: A taxa de envio depende de diferentes zonas e países.

Pagamento

Termos de pagamento Taxa de mão
Transferência bancária Transferência bancária cobrar taxa bancária de US$ 30,00.
PayPal PayPal cobrar taxa de serviço de 4,0%.
Cartão de crédito Cartão de crédito cobrar taxa de serviço de 3,5%.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Grama de dinheiro Grama de dinheiro cobrar taxa bancária de US$ 0,00.

Garantias

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2. se alguns dos itens que você recebeu não forem de qualidade perfeita, providenciaremos seu reembolso ou substituição com responsabilidade. Mas os itens devem permanecer em sua condição original.

Embalagem

  • produtos

    Etapa1 :produtos

  • Embalagem a vácuo

    Etapa2 :Embalagem a vácuo

  • Saco antiestático

    Etapa3 :Saco antiestático

  • Embalagem individual

    Etapa4 :Embalagem individual

  • Caixas de embalagem

    Etapa5 :Caixas de embalagem

  • etiqueta de envio com código de barras

    Etapa6 :etiqueta de envio com código de barras

Todos os produtos serão embalados em saco antiestático. Envio com proteção antiestática ESD.

Fora da etiqueta da embalagem ESD serão utilizadas as informações da nossa empresa: Número da peça, marca e quantidade.

Iremos inspecionar todas as mercadorias antes do envio, garantir que todos os produtos estejam em boas condições e garantir que as peças sejam novas folhas de dados originais.

Depois que todas as mercadorias forem garantidas sem problemas na pós-embalagem, embalaremos com segurança e enviaremos por expresso global. Apresenta excelente resistência a perfurações e rasgos, além de boa integridade de vedação.

  • ESD
  • ESD

Part points

  • The 1N4448HWT-7 is a small signal diode chip known for its fast switching speed and low leakage current. It has a forward voltage drop of 1V at 10mA and a maximum reverse voltage of 100V. This chip is commonly used in applications such as signal rectification and voltage clamping in electronic circuits.
  • Equivalent

    Some equivalent products of the 1N4448HWT-7 chip include the 1N4148W-7-F and BAV99W-7-F. These are also small signal switching diodes with similar electrical characteristics and packages.
  • Features

    The 1N4448HWT-7 is a high-speed switching diode with a forward voltage of 1 V, maximum reverse voltage of 75 V, and a maximum forward current of 300 mA. It is housed in a small SOD-123 package, making it suitable for space-constrained applications.
  • Pinout

    The 1N4448HWT-7 is a surface mount diode with a pin count of 2. It is primarily used for high-speed switching applications, rectification, and signal conditioning.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the 1N4448HWT-7 is Vishay Intertechnology. Vishay is a global company that specializes in the design, manufacture, and distribution of discrete semiconductors and passive electronic components. They provide a wide range of products and solutions for various industries, including automotive, telecommunications, consumer, industrial, and more.
  • Application Field

    The 1N4448HWT-7 is a high-speed switching diode used in a variety of applications such as signal and voltage clamping, low voltage rectification, RF mixers, and high-frequency detectors. It is commonly used in telecommunications, consumer electronics, and automotive industries.
  • Package

    The 1N4448HWT-7 chip is a rectifier diode that comes in a SOD-123 package. The package has a small form factor and measures approximately 2.5mm by 1.25mm.
1N5819HW

1N5819HW

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1N5819HW1-7-F

1N5819HW1-7-F

Diodes Incorporated

1N3322B

1N3322B

Microchip

1N3317B

1N3317B

Microchip

1N5339B

1N5339B

NTE Electronics, Inc

1N4007GP-E3/54

1N4007GP-E3/54

VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

1N3890R

1N3890R

GeneSiC Semiconductor

1N5819-E3/54

1N5819-E3/54

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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